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为什么高掺杂的半导体耗尽层窄

来源：学生作业帮 编辑：拍题作业网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/04/28 02:48:14
为什么高掺杂的半导体耗尽层窄
这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主杂质浓度,p区有均匀受主杂质浓度.因整个报导体满足电中性条件,势垒区内电荷总量相等,即:
n区均匀施主杂质浓度Xn区空间电荷区的宽度=p区均匀受主杂质浓度Xp区空间电荷区的宽度
所以掺杂浓度越高,空间电荷区即耗尽层的越窄.
具体推导参阅刘恩科半导体物理学pn结那一章的突变结的势垒电容.
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