作业帮在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于 ,而少子的浓度则受_的影响很大
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/27 00:06:31
不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了再问：有些不懂哎不能有个大致的浓度范围吗再答：刘恩科《半导体物理》书里应有详细的介绍，有这时间看看书就都知道了
单一变量画图,画出的是个曲线；双变量画图,画的就是一个二维的曲面.使用matlab的3dplot是可以比较简单的实现你的需求的,x方向改变掺杂浓度,y方向改变温度.z方向代表fermilevel.生成
按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.
答：1)对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；2)对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；3)电离杂质
这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主
掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.
N型,P型希望采纳
详见刘恩科《半导体物理》第四章有很详细的介绍!
很多种,扩散啊,离子注入啊,你去找找半导体工艺的书看吧,很详细的
1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI
就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.
本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷
所谓的纯化学反应和物理反应的概念,只是停留在高中阶段,高中时我们可以很明确地说这是物理反应,那是化学反应,但是现在好多东西却不能区分了,现在衍生出了物理化学学科,有兴趣可以看一下啊.
在PN区交界处,扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,重掺杂区域复合较严重,而复合掉的电子有来自清掺杂区域
载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度；载流子空穴的浓度主要取决于电压?（这个不太拿得准）
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移
在假定迁移率不变的情况下,硅的电阻率由载流子浓度决定.室温下,硅有确定的本征载流子浓度.也即有确定的电阻率.在掺杂的情况下,掺杂的浓度会远大于本征载流子浓度.则硅的电阻率,就完全由杂质浓度来确定.所以
什么样品?光照会使半导体中形成非平衡载流子,载流子浓度增大必使样品电导率增大,由光照引起的半导体电导率增加的效应称为光电导