在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?
来源:学生作业帮 编辑:拍题作业网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/04/30 21:57:59
在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?
对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?
对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时 间τ与温度的关系.
对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?
对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时 间τ与温度的关系.
答:1) 对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射;
2) 对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射;
3) 电离杂质散射:τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
声学波散射:τs∝T^(-3/2),
光学波散射:τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]
希望可以帮到你o(∩_∩)o ,
2) 对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射;
3) 电离杂质散射:τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
声学波散射:τs∝T^(-3/2),
光学波散射:τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]
希望可以帮到你o(∩_∩)o ,
在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?
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