如图，宽度为L=0.5m的光滑金属框架MNPQ固定于水平面内，并处在磁感应强度大小B=0.4T，方向竖直向下的匀强磁场中

来源：学生作业帮编辑：拍题作业网作业帮分类：物理作业时间：2024/04/29 23:22:00

如图，宽度为L=0.5m的光滑金属框架MNPQ固定于水平面内，并处在磁感应强度大小B=0.4T，方向竖直向下的匀强磁场中，框架的电阻非均匀分布．将质量m=0.1kg，电阻可忽略的金属棒ab放置在框架上，并与框架接触良好．以P为坐标原点，PQ方向为x轴正方向建立坐标．金属棒从x₀=1m处以v₀=2m/s的初速度，沿x轴负方向做a=2m/s²的匀减速直线运动，运动中金属棒仅受安培力作用．求：

（1）金属棒ab运动0.5m，框架产生的焦耳热Q；
（2）框架中aNPb部分的电阻R随金属棒ab的位置x变化的函数关系；
（3）为求金属棒ab沿x轴负方向运动0.4s过程中通过ab的电量q，某同学解法为：先算出经过0.4s金属棒的运动距离s，以及0.4s时回路内的电阻R，然后代入q=

△φ

（1）通过受力分析得：
金属棒仅受安培力作用，其大小F=ma=0.2N，
金属棒运动0.5m，因为安培力做功量度外界的能量转化成电能
所以框架中间生的焦耳热等于克服安培力做的功，
所以Q=Fs=0.1J．
（2）金属棒所受安培力为F=BIL，
感应电流I=
E
R=
BLv
R，
F=
B2L2v
R=ma，
由于棒做匀减速运动，根据运动学公式得：v=
v02−2a(x0−x)，
所以R=
B2L2
ma
v02−2a(x0−x)=0.4
x （Ω），
（3）错误之处是把0.4s时回路内的电阻R代入q=
BLs
R进行计算，而框架的电阻是非均匀分布的．
正确解法是：q=It，
因为安培力F=BIL=ma，
q=
mat
BL=0.4C．
答：（1）金属棒ab运动0.5m，框架产生的焦耳热Q是0.1J；
（2）框架中aNPb部分的电阻R随金属棒ab的位置x变化的函数关系是R=0.4
x （Ω）；
（3）错误之处是把0.4s时回路内的电阻R代入q=
BLs
R进行计算，而框架的电阻是非均匀分布的．0.4s过程中通过ab的电量q是0.4C．

如图，宽度为L=0.5m的光滑金属框架MNPQ固定于水平面内，并处在磁感应强度大小B=0.4T，方向竖直向下的匀强磁场中两根相距d=0.20m的平行金属长导轨固定在同一水平面内,并处于竖直方向的匀强磁场中,磁场的磁感应强度B=0.2T,导轨 16．如图10所示：宽度L=1m的足够长的U形金属框架水平放置,框架处在竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=1T 在范围足够大，方向竖直向下的匀强磁场中，B=0.2T，有一水平放置的光滑框架，宽度为L=0.4m，如图所示，框架上放置一一道电磁感应题目10．如图所示,在竖直方向的磁感应强度为B的匀强磁场中,金属框架ABC固定在水平面内,AB与BC间夹角为宽度L=1m的足够长的形金属框架水平放置,框架处在竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,框架导轨上放置一根质量m=0 如图所示,固定在水平面上的光滑金属架CDEF处在竖直向下磁感应强度为B0的匀强磁场中,金属架宽为L.金属棒MN与金属框架如图所示，在磁感应强度大小B=0.5T的匀强磁场中，有一竖直放置的导体框架，框架宽l=0.4m，框架上端的电阻如图所示，光滑的U形金属导轨MNN′M′水平的固定在竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B，导轨的宽度为L，其长度足够长，如图所示，固定在水平桌面上的光滑金属框架cdef处于竖直向下磁感应强度为B0的匀强磁场中．金属杆ab与金属框架接触良好．如图所示，光滑U型金属导轨PQMN水平固定在竖直向上的匀强磁场中，磁感应强度为B，导轨宽度为L.QM之间接有阻值为R的电在磁感应强度B = 0.08T,方向竖直向下的匀强磁场中,一根长