半导体中电子和空穴运动的区别,pn结电流方程中理想因子怎么用实验测量,击穿电压怎么测量

半导体中电子和空穴运动的区别,pn结电流方程中理想因子怎么用实验测量,击穿电压怎么测量 外加偏压时,半导体pn结中任意截面的电子空穴电流之和为什么相等? 在pn结中 电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? 如何测量PN结击穿电压 半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍? 为什么PN结加正电压时,空间电荷区,空穴运动产生的电流会比电子运动产生的电流大? 关于电子电工技术中,半导体的本征激发,空穴怎么运动的? 在太阳伏电池安特性测量实验中怎么计算最佳工作电流Im和电压Vm? 三极管中电子和空穴如何运动 半导体中空穴的运动我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,还有一种是空穴,空穴是电子填补空位的现象,其实是电子的移动 P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子，正电荷和负电 PN结外加正向电压时电子和空穴会相遇吗?如果会,怎么不复合,如果复合,载流子消失,怎么还能导通?