可控硅BTA208X-1000B,电压1000V,电流8A,的阻容吸收的电阻和电容如何选取?

来源：学生作业帮编辑：拍题作业网作业帮分类：物理作业时间：2024/05/16 11:26:07

5W至10W/50欧
0.22μF ,2000VAC
用在380V系统上的可控硅阻尼吸收
再问：我是用在交流220V永磁低速同步电机上的，电机的功率只有45W，电机上的电容为3.2uF/500V!电阻的功率应该不需要这么大?电容的耐压值也不需要这么大吧？
再答：这个是无功补偿上可控硅用的，负载有的达到100多A。
再问：交流220V永磁低速同步电机，功率45W,的负载在什么情况下能达到100多安培？还请不吝赐教？
再答：正常45W的220V的电机还不到1A,

我在网上找了个资料你看看能用吗。
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络

由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择
电容的选择 C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF，1kv 的电容器
电阻的选择：
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。
R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

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