有体二极管的N-MOS,施加驱动,使其保持导通状态,如果Vds(漏极源极电压)加反向压降;
求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小
二极管两端加正向电压时,二极管( );加反向电压时,二极管( ).
N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的
为什么二极管PN结加反向电压,PN结会加宽,加反向电压后PN结P侧的电子一样可以到达PN结的N侧呀,
二极管电路如图所示,设二极管是理想的,判断二极管工作状态(导通还是截止),Vo电压?
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
二极管的正向反向导通和PN结外加正向反向电压有什么关系?
损坏二极管的并不是加在二极管上的反向电压 而是流过二极管的电流 这句话对吗
二极管的反向电压也是二极管的工作电压吗?
二极管具有单向导电性,加正向电压时,二极管电阻较小,通过二极管的电流较大,加反向电压则相反,为什么?
二极管的最大反向工作电压反应反向特性吗
有没有这样的mos管,我是想要栅极电压大于1.5V时,管子处于夹断状态,低于等于1.5V时,管子导通.