pn结耗尽层电容的概念

一般说来,在反向偏压或小的正向偏压下,p-n结以势垒电容为主,只有在大的正向偏压时才以扩散电容为主.

耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（

所谓文化史层是指自然环境对各民族都是中立的.地面现象的差异完全是由于各民族的文化背景、能力、态度而改变的.在同一环境的地区内,不同的民族在不同时期居住,就在地面上遗留下了不同的文化遗迹.因为文化不同,

PN结中由于p区和n区的电子空穴发生中和,在结中会形成耗尽区,PN结因此可以叫耗尽层；由于PN结反向不导通,因此可以叫做阻挡层.仅作参考.

这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主

二极管一般很少用“偏置”这个概念,三极管常用.二极管PN结导通需要一定的电压,锗材料约0.2V,硅材料约0.7V,导通是正偏,截止是反偏.一般没有固定的特意设置偏置电压、电流.有的时候,可能要达到某种

这是别人的回答：电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w）电势差等于：电场强度*宽度所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方.产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄.我觉得也可以这么理

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

是扩散电流与漂移电流的平衡吧,肯定有啊,PN结空间电荷区是耗尽区,没错,但不代表耗尽区里面就没有载流子（只是说载流子的浓度少了,总的电荷的代数和不为零,所以产生了净电荷,才叫空间电荷区,而载流子浓度相

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

因为有耗尽层的存在,耗尽层两侧是带相反电量的不能自由移动的自由电子,当让就有自建场存在,自然就有电容了

书上的耗尽层是理想情况,PN结两端的P型区和N型区浓度是一定的,真正的PN结这两端是缓变的,浓度有差异再问：我说的是耗尽层近似，你那个好像是突变结近似吧

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

这是关系到pn结基本原理的问题,在一般的电路书籍中不会讲到.（1）“在高掺杂的情况下,耗尽层宽度很小”：由于耗尽层就是空间电荷区,其中的空间电荷主要是杂质电离中心提供的,因此掺杂浓度越大,电荷密度就越

离子本来就不动!动的是电子

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

概念上的问题首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度.而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移

先要知道～Si掺杂入3价元素就是P区,掺杂入5价元素就是N区．然后应该这么理解～PN结加正相电压,使空间电荷区减小,有利于多子的扩散,P区多子是空穴,少子是电子,N区多子是电子,少子是空穴．反之,当P

结电容就相当于并联在两个结的一个电容,是由于pn结的面积形成的一个电容.在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现

哎,空穴移动是怕后来的学生们不好理解,所以伟大的先行者加了这个概念.关键是由此产生的一堆公式都已经固化了,又不好一口气全部替换,所以只能硬啃了.但看楼主描述,楼主的智商比前人高.期待楼主日后想出更好的