LED开关电源mos管击穿原因有哪些

1,MOS管损耗比三极管小2,MOS管为电压驱动型,驱动电路比较简单,三极管为电流驱动型3,MOS管的温度特性要比三极管好

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

我们是做led电源的,我们现在用的是杭州仕蓝微的MOS管.品质还不错.

比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导通损耗,因为开关管的导通是有电阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比

MOS每次开关都有损耗,降低开关频率就是为了降低损耗再问：那最高频率最低频率受哪些因素的限制，由什么来决定再问：还有，那为什么空载时的频率最高呢？难道不怕MOS的消耗吗？再答：最高最低频率和变压器参数

MOS的耐压和经过MOS的电流,然后就是内阻和散热啦反应到电源就是最大工作电压和最大输出功率

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

是一上电就炸还是老化的时候炸?这个要知道了才可以分析,我是专业设计生产LED驱动电源的厂家,有什么问题可以随时交流.再问：谢谢.是在老化时炸,,冲的时候把限流电阻炸了再答：冲的时候把限流电阻炸了？不太

放大也可以但是不(A)低频更不可取.no（B）高频方面更不如三极管.也不是（C）至于饱和.MOS管有更低的内阻.所以（D）答案更适合.

烧MOS,一般就是两个原因,一是加到漏极的电压过高,超过MOS的耐压而击穿,变压器漏感过大会在漏极上产生很高的一个电压尖峰,这个尖峰加上直流母线上的电压和次级反射电压很容易超过MOS的耐压另外一个就是

在ORingFET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态.其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时.　　相比从事以开关为核心应

Gs电压很低啊,你说的是DS电压么

这个没有定数,RG一般在10-100欧之间,RT在2.7K---10K之间,和输出功率以及MOS有关.因为每种型号的MOS的结电容都不一样,虽然MOS是电压驱动元件,但是还是需要电流的,所以高结电容容

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

把电路图发上来!单从你的描述这都不是开关电源!通AC-DC也是要先整流的!另外你工作于2KHZ这种低频你的拓扑和变压器的设计也好满足啊!电感量不够的话直接饱和当然烧保险和管子了!再问：有整流和滤波电路

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降.峰峰值和过电压的尖峰不是一回事.

在开关电源中,通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管（应该还要串一电容）至电源的正极.此电路是缓冲电路,吸收电路尖峰,避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏.在不

MOS管是一个通过改变电压来控制电流的器件,有时候也被称为绝缘栅场效应管.近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管,之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：1.输入阻抗高.输入阻

分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.　　我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流

驱动电阻主要是让MOS导通稍微变慢,以免过驱动,这样的好处是解决电磁兼容中的辐射问题,并联一个电阻是加速截止,降低MOS的关断损耗.