磁控溅射和等离子体化学气相沉积区别

风力沉积是指在风的行径途中,由于携带物自身重力而沉降下来,一般不受地形限制.积沉积作用是因为水流速度的减慢和水流量的减小造成的

等离子体化学气相沉积是一种薄膜生长工艺,相应的仪器用来制备薄膜.标准和全自动是仪器功能上的区别.

大型气相沉积炉一台规格大约为5米高,2-3米的直径150-220温真空炉温度在2000度左右,高3米,宽3米左右要看有求450--1500

一．物质与氧气的反应：（1）单质与氧气的反应：1.镁在空气中燃烧：2Mg+O2点燃2MgO2.铁在氧气中燃烧：3Fe+2O2点燃Fe3O43.铜在空气中受热：2Cu+O2加热2CuO4.铝在空气中燃烧

镀膜的时候采用高温,主要目的是增加膜材料和基板的结合牢固度,实际上要想达到高温,所需要的设备肯定要比常温镀膜增加不菲的费用的.如果能够,谁都不想.而溅射式镀膜在成熟以后,微粒或者微粒团的能量很大,有效

其含义是气相中化学反应的固体产物沉积到表面.CVD装置由下列部件组成；反应物供应系统,气相反应器,气流传送系统.反应物多为金属氯化物,先被加热到一定温度,达到足够高的蒸汽压,用载气（一般为Ar或H2）

楼主概念不对膜层一般为蒸发镀膜、溅射镀膜、喷涂镀膜、电离镀膜等方法.溅射镀膜过程中,在靶与基体之间形成了含有离子、电子、中性原子团组成的对外显中性的气体,这就是等离子体.溅射镀膜过程分为物理气象沉积、

主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射.另外,利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积.磁控溅射是在二极直流溅射的基础上,在靶表面附近

金属有机化学气相沉积（MOCVD）是一种合成方法,尤其适合于膜合成.而发光二极管（LED）是一种半导体器件,本无关联；只是LED中广泛用到膜技术制造.成膜技术很多,除了MOCVD外,还有低压CVD(L

定义　　MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.缩写　　Metal-organicChemicalVaporDeposition（金属有机化合物化学气相沉淀.原

plasmaenhancedchemicalvapordeposition

我以前的学位论文是关于等离子体化学气相淀积的内容.我不知道你用的等离子体是低温等离子体,还是高温等离子体.如果是高温等离子体（高于1500摄氏度）,恐怕没有现成的设备,需要自己设计、自己找生产工厂加工

主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射.另外,利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积.现在的直流溅射（也叫二级溅射）较少用到,原因是

pecvd等离子体增强化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应

是一会事,但镀速是很制式的称呼,沉积速度只是一般化学反应的速度,非正式应用于实际生活实践.

我们公司有CVD镀膜不过是在玻璃上镀的.再问：因为对这个不是很了解，但是都是用CVD方法，您觉得是否可以为3mm，4mm大小的圆形宝石镀膜呢？再答：不知道你原先在美国给蓝宝石镀膜是在线的吗？个人觉得离

1直流和射频是对加在靶上的电源所说的.本质区别自然就在直流是持续不间断加在上面,射频是具有一定的频率（13.56MHz）间隔加在靶上的.详细解释只能去看书,还不让粘贴,没人会找本书来给你慢慢敲在这里2

CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积),指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程.在超大规模

金属、陶瓷、过渡族金属硫化物都具有以下的复合优化机制.其中“复合优化机制”翻译为Compositeoptimizationmechanism再问：TiB2的复合促使这里呢复合优化机制中复合我想用一个动

这是机理性的东西,CVD 法是在高温条件下分解含有C元素的原料气体,生成碳原子,甲基原子团等活性粒子,并在合适的工艺条件下,在基底材料上沉积出金刚石膜的方法.对于CVD 金刚石膜的