有掺杂时半导体电导率的计算

不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了再问：有些不懂哎不能有个大致的浓度范围吗再答：刘恩科《半导体物理》书里应有详细的介绍，有这时间看看书就都知道了

图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p）,一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为

按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.

这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主

掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.

我以N型半导体给你举一个例子：单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4（万分之一）,则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带

N型,P型希望采纳

温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降,影响电导率.（但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响）光照激发则是产生光生非平衡载流子,改变载流子浓度产生附加电导（但其迁移率基本不变）.

1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.

1根据你所要的电阻率从电阻率-掺杂剂的图中找到合适的比例2根据质量守恒进行计算简单的说就这两部.但是实际生产中.还要根据你所选的料以及经验而进行

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的

什么是掺杂半导体?相对而言,本征半导体中载流子数目极少,导电能力仍然很低.但如果在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强.由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类.N

本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷

导电性将会有质的区别,掺杂半导体将会出现“空穴-电子”型导电特性,本征半导体只会激发出少量的自由电子(空穴)来导电.估计又是一个刚学模电的有点不懂了.模拟电子技术基础(高教社),学完这本还要学数字电子

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）

晶格改变

什么样品?光照会使半导体中形成非平衡载流子,载流子浓度增大必使样品电导率增大,由光照引起的半导体电导率增加的效应称为光电导

半导体材料主要做半导体器件,构成电路,有的还可以做成发光的LED轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入