已知晶体管的贝达等于60.rbe=1k,ube-搜答案-拍题作业网

静态分析：根据KVL定律Vcc=Ib*Rb+Vbe+Ve其中Ve=Ie*Re=（1+β）*Ib*Re,（这是因为集电极电流恰好是基极电流的β倍）所以Ib=（Vcc-Vbe）/（Rb+Re+β*Re）又

我们知道,二极管具有单向导电性,相当于一个自动开关；而晶体三极管除了具有这个开关的作用之外(截至和饱和状态)厉害具有电流放大作用.但是要使得晶体三极管具有电流放大作用,必须有一定的条件,借用哲学语言来

c-ra=6导出rc=6+ra带入rc-rb=5得6+ra-rb=5得ra=rb-1带入ra+rb=7得rb-1+rb=7导出rb=4带入各式得结果：rb=4、ra=3、rc=9

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差（1+β）倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态：

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

a、480KIb=Ic/βIb=(Vcc-Vbe)/Rb≈Vcc/R

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

晶体管截止时,Vc-Ve的值也是大于0.7V啊!1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲：基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电

串联电路电阻等于Ra+Rb=25+35=60欧姆定律U/R=IUa=I*Ur=0.1*25=2.5

答案是放大区么?我也在看模电~可以讨论讨论哈~Ube=0.7=Vcc-Ib*Rb,所以Ib=0.0000143A又因为Ic=贝特*Ib=30Ib所以,Uce=Vcc-Ic*Rc=4.57V所以BE正偏

电路的电压放大少不了它.

设Ra=R,则Rb=2R,Rc=4R.Rb∥Rc=2R∥4R=4R/3.总电阻为：R+4R/3=7R/3.电路的电流为：I=U/（7R/3）=3U/7R.故Ra两端电压为：Ua=3U/7；Rb和Rc两

这个问题要从晶体管的工作原理说起,晶体管能正常工作首先要有一个合理的工作点,比如说一般情况下,硅管基极电压要0.7V左右、集电极则要在3V以上才能正常的工作,在晶体管输入电路中的Rb就是为提供这个0.

解答过程如下：点击图片可以查看清晰大图

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

1）B、饱和区2）B、输入电阻大再问：为什么选这两个答案？原因写下吧。。。再答：1）可以估算一下：基极电阻为100K，VCC=10V，可知基极电流为0.01mA（忽略be压降），β=100，此时集电极

有近似计算公式：rbe=基区体电阻+（1+hfe）Ut/Iehfe是电流放大倍数,Ie是发射极电流,Ut在室温下一般=26mV回到你的问题,Ib=13uA,那么Ie=（1+hfe）Ib,代入公式计算就

Vcc为12V,则Ib=（12V-0.7V）/Rb=11.3V/120k≈0.094mA,因此Ic=Ib*β=0.094mA*40=3.76mA,如果是在放大区,则计算得三极管集电极电压Vc=Vcc-