一均匀带电薄圆盘,半径为R,电荷面密度为σ若圆盘绕为w转动,证明吃力矩
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/30 11:08:48
答:均匀带电球面球外空间电场等效于点电荷在球心处产生的电场.取无限远为零势面,则φ=kQ/r,则r=R处电势为φ=kQ/R.若规定球面上电势值为零,由于球面与无限远的电势差不变,因此φ=-kQ/R,Q
如果就做这道题来说的话,图中的解法应该是做等效处理了,由于圆环的对称性,在电势上相当于带Q的点电荷在距离为R上的电势,图中的解法应该是解等效后的这样一个简单模型,楼主说的电势叠加是可以的.
球内场强为0,电势相等为球壳处电势球外的电场和电势分布和把球上电荷看成集中在圆心的点电荷相同
一:球内场强0,球外场强公式同点电荷.二:电场强度的分布同“一”,球心O的电势等于球表面的电势,公式同点电荷.
由高斯定理可以求得薄金属球壳外的电场强度∮Dds=∮εεoEds=εεoE∮ds=q,闭合面为以金属球心为球心的球面,【有些书里相对介质常数用εr来表示,这里用ε表示,所以εεo是介质的介电常数】E=
由于挖去前后电荷分布不变,所以可以这样考虑:假设小球还没有挖去,则该小球对其中心产生的场强加上除去小球后的大球其余部分对这一点产生的场强,等于大球该点处的场强(由第一问可知具体表达式),由于挖去的小球
把半球面看作许多圆环,积分即可没有必要在这问这些问题,把教材静电场例题及课后题做会就行了前提是会点微积分知识
从理论计算上来看,结合高斯定理,推导出的计算公式是:如图.(E.为真空电容率)(q其实就是Q)推导过程需要用到定积分理论.如果楼主还有问题的话,随时欢迎.希望对楼主有用~~~~~再问:可以写的在详细点
点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产
在半圆上取线元,dl=rdθ其线元带点量为dq=λdl=q/(πr)*rdθ所以dE=dq/4πε0r^2因为各个电荷元在0点产生的dE方向不同,所以把dE分解其中dEy=0,dEx=dEsinθ所以
表面内电场E=0表面外视为点电荷场强(高斯定理)希望采纳
在球外,可以将这个球壳等效为全部电荷集中在球心的点电荷处理,电势分布为k*4paiR^2σ/r(r>R)在球内的时候因为球壳上均匀带电,可以证明在内部所受合力为零,因此无论如何移动都不做功,因此是一个
例4.薄圆盘轴线上的场强.设有一半径为R、电荷均匀分布的薄圆盘,其电荷面密度为σ.求通过盘心、垂直与盘面的轴线上任一点的场强.把圆盘分成许多半径为r、宽度为dr的圆环,其圆环的电量为dq=σds=σ2
取一半径为r,宽度为dr的圆环,带电量为dq=q/(πR^2)2πrdr=2qrdr/(R^2)以角速度ω旋转,相当于电流为dI=ω/(2π)dq=ωqrdr/(πR^2)在圆心处dB=dI/(2r)
一均匀带电球体,半径为R,体电荷密度为p,今在球内挖去一半径为r(r<R)的球体,求证由此形成的空腔内的电场死均匀的,并求其值.10
积分来算,为了把二重的面积分简化为一重积分,首先根据对称性,d处的场强方向是沿着圆心O和d点连线向外.设圆盘的面电荷密度是s,有s=Q/πR^2考虑圆盘上的一个半径是在r,r+dr处的细环带,它的电量
无限长均匀带电圆柱面内外的电场强度分别为E=0,E=a/(2πεr)设有限远r0处的电势为零,则电圆柱面外部距轴线为r的任一点的电势为U=∫Edr(积分限r到r0)=a/(2πε)*ln(r0/r)圆
2(1):球壳内场强为零.球壳外场强E=/4πεR^2.(2)球壳内电势为零.球壳外电势E=/4πεR.3(1):B=((2I/0.5d)-(I/0.5d))μ/2π=μI/πd.(2):x=2d/3
1、(1)球壳内电场为零,外部电场为:E=kQ/(r*r),r为该点到球心的距离.(2)球壳内电势为U=kQ/R.球壳外电势为U=kQ/r.(3)根据(1)(2)的结果绘制.2、无限长导线外一点的磁场