（2014•南通一模）霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，磁场方向沿x轴正方向，磁感应强度B随x的变化关系为B=B0+k

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（2014•南通一模）霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，磁场方向沿x轴正方向，磁感应强度B随x的变化关系为B=B₀+kx（B₀、k均为大于零的常数）．薄形霍尔元件的工作面垂直于光轴，通过的电流I方向沿z轴负方向，霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动．要使元件上、下表面产生的电势差变化得快，可以采取的方法是（　　）

A．增大 I
B．增大B₀
C．减小k
D．减小v

最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的上下表面的间距为d，有：
q
U
d=qvB
电流的微观表达式为：
I=nqvS
联立解得：
U=
BdI
nqS ①
A、由①式，U∝I；增加电流时，元件上、下表面产生的电势差变化得快；故A正确；
B、C、D、由①式，U∝B；霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动，要使元件上、下表面产生的电势差变化得快，则需要磁感应强度变化加快；由于B=B₀+kx，根据可以通过增加k或v来使元件上、下表面产生的电势差变化得快；故B错误，C错误，D错误；
故选：A．

（2014•南通一模）霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，磁场方向沿x轴正方向，磁感应强度B随x的变化关系为B=B0+k （2013•江西二模）霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为（2014•海淀区二模）霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kx（B0、（2010•南通二模）如图所示，有界匀强磁场磁感应强度为B，方向垂直纸面向里，MN为其左边界，磁场中放置一半径为R的圆柱有关磁场的竞赛题有水平向里的磁场,已知磁场的磁感应强度B沿竖直向下的Z方向的变化规律是：B=B0（下标）+KZ,水平方向（2005•南通模拟）如图所示，在一水平放置的平板MN的上方有匀强磁场，磁感应强度的大小为B，磁场方向垂直于纸面向里．许用霍尔传感器测量磁场时,如何确定磁感应强度的方向? 如图所示,在x轴上方有磁感应强度为B、方向垂直纸面向里的匀强磁场；x轴下方有磁感应强度为E、方向竖直向下的匀强电场,现有难道是我抽了?霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿Z轴方向的磁场如图所示,匀强磁场的磁感应强度方向垂直于纸面向里,大小随时间的变化率△B/△t=k （2014•济宁一模）如图所示，磁感应强度大小为B=0.15T，方向垂直纸面向里的匀强磁场分布在半径R=0.20m的圆形（2014•南通三模）如图所示，范围足够大、磁感应强度为B的匀强磁场垂直于xoy平面向里，两质量相等的粒子带等量异种电荷