室温下,本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是

本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? 半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍? 怎样闭着眼想象半导体中载流子（自由电子和空穴）在通电时的运动? n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多 空穴导电的实质模电书上说,在外加电场时,本征半导体的电流是自由电子的电流与空穴电流之和.是否可以这么理解：有7种动作：1 半导体电流向问题晶体中存在两种载流子,即带负电自由电子和带正电空穴,自由电子的方向是与电流的方向相反的,那负极的电流如何 在半导体中,有自由电子和空穴两种载流子导电 空穴和自由电子哪种的导电能力更强?是P型还是N型半导体导电能力强?哪种半导体更常用? 半导体中自由电子与空穴的能级是否一致?不一致的话,他们能否复合? 关于电子电工技术中,半导体的本征激发,空穴怎么运动的? P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么? 电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ ） A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2