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什么是垂直导电结构,在MOS管中的知识

来源:学生作业帮 编辑:拍题作业网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/05/16 04:11:19
什么是垂直导电结构,在MOS管中的知识
为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),其具体工作原理为(参见下图):
截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零.P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过.
导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过.但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面.
当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电.