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半导体 PN结在现实中是怎么制作的呢?

来源:学生作业帮 编辑:拍题作业网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/04/20 19:47:11
半导体 PN结在现实中是怎么制作的呢?
全部先弄成P或N区,再把这之中的一部分掺杂 基本工艺是: 氧化(制作掩膜)、光刻(刻出扩散窗口)、高温扩散(掺杂), 也可用直接的离子注入等方法实现掺杂.
离开这一行业已很久了,8130即我原服务单位
再问: 我觉得这样做比把纯硅一边弄成N区,一边弄成P区的误差大,是不是啊??

国内有什么企业搞这些?
再答: 我这里说的是平面工艺,也是现在的主流工艺。
这种工艺主要就是不断的氧化、照相、刻蚀、扩散。
半导体行业现在又称微电子行业,它处理的图形尺寸是以微米、纳米计,可不是拿两块半截砖大的N和P摁在一起就成了PN结了。这可不是机械加工。
和你想象的靠点边的可能是半个世纪前的点接触二极管工艺。
看来你对这一行业一点都不了解,想进入吗?
国内这一行业的企业太多了,如天津的摩托罗拉等等,长三角地区很多,网上搜半导体、器件、微电子会有很多。

不是误差问题,而是是否可行的问题
再问: 刚学模电,看到PN结这里,想了解一下怎么制作的。

为什么要离开这行呢?
再答: 如不是学器件(微电子)的,了解它的外在特性就够了,有兴趣了解工艺,可看http://www.zwbk.org/MyLemmaShow.aspx?lid=218038,所谓“扩散”就是在做PN结。 上世纪80年代末,整个行业不太好,就离开了。