TTL与非门电路参数中的扇出系数

当电阻没有装到电路之前,用万用表就可以测量它的阻值,（至于它的额定功率,只能看它的标识）.电路里的电阻一般不好测,除非它在直流回路里是独立的.

门电路是由PMOS和NMOS管串并联组合而成,因此输入端就不允许悬空.因为输入端一旦悬空,输入电位不定(这时输入电位实际上是由保护二极管的反向电阻比来决定的),从而破坏了电路的正常逻辑关系.此外,悬空

从原理图上看,如TTL与非门的输入端是NPN三极管的发射极,三极管的基极有电阻接电源VCC,当三极管的输入端悬空时,三极管的基极到发射极无电流,三极管截止,通过放大反相使得输出为低电平.所以输入端悬空

实际电路中,与非门、与门闲置的输入端管脚应接到高电平（即通过电阻接到电源正电压）,或非门、或门闲置的输入端管脚应接到低电平（即通过电阻接到电源地）.

TTL集成电路中输入端若悬空（什么都不接）代表此输入端输入高电平（逻辑1）,但在实践中,由于工艺、玷污等原因未接的输入端很容易碰到其他信号线,导致输入错误信号,所以建议楼主在设计电路的时候根据电路要求

以两个输入端A、B的与非门为例,通俗地说,就是：A“与”B都是高电平的时候,输出“低”（低,就是高电平的非）电平,否则输出高电平.同理：两个输入端A、B的与门,就是：A“与”B都是高电平的时候,输出高

1、CMOS与非门电路多余输入端的处理与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平．输出信号就是高电平．只有当输入信号全部为高电平时．输出信号才是低电平.所以某输入端输入电平为高电平时．对电路的逻辑功能

TTL与非门直接和工作状态相关的主要参数指标有工作电压、输入高/低电平电压、输出高/低电平电压、上升时间、下降时间、输入阻抗、输出电流等.和工作状态不直接相关的主要参数指标有工作温度范围.

measabbr.(=measurable,measure)v.测量,量MEAs:MultilateralEnvironmentalAgreements中文全称:多边环境协定MEAS:MissionE

逻辑电路的两种状态啊,0或1,输入输出反相,那么输入0则输出1,输入1则输出0

1、TTL与非门组成的积分型单稳态触发器稳态为高电平,暂稳态为低电平.若要增大脉冲宽度,则需要减少电容放电时间,即减小电阻,增大电流,加快放电.2、测脉冲宽度应为高电平时间.再问：具体操作？？？数值？

提问的网友需要注意的是,这部分电路是从整个电路中抽出来的,只要一个5V电源供电就可以,其他加的都是信号电压.当提到V1处给高电平时你可以视作V1处接了一个5V电压,低电平时可视作V1接地（或接0.3V

可以用触发器,例如微分型单稳态触发器的电路,将与非门G1的输出电压经过R,C组成的微分电路,耦合到与非门G2的输入端（双端并联）.门G2的输出电压直接送入门G1的输入端（B端).输入A接到G1门输入A

多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子,它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时,多发射极晶体管即首先进入过饱和状态,然后才驱使其后面的晶体管截止,故多发射极晶体

CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V）,TTL只能在5V下工作CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差CMOS功耗很

在开关电路中,饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度,如下图框框中的即为深度饱和带来的延迟：饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和,远大于集电极电流时是深度饱和.因此我们只需要

这是个与非门电路.T1有三个发射极：A、B、C,其中只要有一个发射极低电位T1就导通,T1导通时C1为低电位；这时T2截止、T5也截止（T5是依靠R3上的电压来控制导通和截止的）；由于T2截止,C2处

答案错了.不管CMOS还是TTL,扇出系数的定义都是一样的.相信自己,否定答案.

TTL值的常用单位是秒.对于IP地址相对固定,或短期内不计划变更IP地址的用户TTL值设置的大些为宜,如几个小时或更大些.调大TTL值可以显著的提高域名的解析稳定性和速度.对于计划变更IP地址的用户最

Q2和Q3相当于“并联”的两个三极管,只有A、B都为高电平时,Q4基极才是高电平.Q5部分画错了.再问：嗯，