高斯定理求距球心r处的场强

贴图在下面.如果要更详细的解释再告诉我,我把说明补上.

高斯定理解电场,需要其具有良好的对称性分布.电偶极子的电场只具有极轴对称分布,不能用高斯定理.1,可以以偶极子的中点为原点建立球坐标系,用库伦定律和叠加原理求电场分布,一般可以求出其极轴和中垂线上的电

1.高斯定理计算的场强是单独高斯面内电荷形成的场强,还是该面上的合场强（包括外界电荷影响）?答：第二种.包括外界电荷的影响.比如说在一点电荷外任做一高斯面（不包括该点电荷）,根据高斯定理得E=0,显然

取一个半径大于大球半径的同心球面S包裹住大球壳以及点电荷和小球壳,对上述球面S应用高斯定理.因为大球壳接地——电势为0,而无穷远也是0,所以,大球壳外无电场线分布——S所在的球面上处处都有E=0,所以

用静电平衡简单.用高斯定理也简单.在球心处做一个高斯球面,因为电场球对称,而且面内EdS积分是零,所以各处场强是零.当高斯球面的半径无限小时,场强仍是零,由于场强是连续的,所以,球心处场强为零.再问：

金属球内部处于静电平衡状态，故合场强处处为零．所以感应电荷在球心处产生的场强应和点电荷Q产生的场强大小相等，即E=kQ r2，故A正确，BCD错误；故选A

你好：D,kQ/r^2导体内部场强为0Q形成的场强与感应电荷产生的场强叠加为0如果满意记得采纳!再答：O(��_��)O~再问：���dz�ǿΪ0��Ϊʲô���г�ǿ��再答：..........再问

、、、首先我觉得你比我们强得多,我们都是天天打游戏.你还来的及思考这么深奥的东西.我觉得你是没往后面学吧,首先我想问,你那圆柱体是怎么横放的?我们没弄明白.再者,你那圆柱体是不是电介质,若是后面有电介

高斯定理：∮DdS=∫ρdV球内：εE4pir^2==∫kr4pir^2dr=pikr^4E=kr^2/(4ε)球外：εE4pir^2=pikR^4E=kR^4/(4εr^2)

http://kc.njnu.edu.cn/dcx/main/dcxweb/neirong/pages/nr/nr1304.htm

你的问题有一点不太明确,就是圆柱体是否为无限长,因为如果是有限长均匀带电体的话,那么它周围一定空间范围内的电场分布一定是非集合简单化的,不好简单求解.而如果你只关心无穷接近带电体表面的电场强度的话,却

你的问题有一点不太明确,就是圆柱体是否为无限长,因为如果是有限长均匀带电你问的问题应该有个前提:求无限长均匀带电圆柱面的场强分布1.此时圆柱高斯.

E=q/4πεr再答：是想要这个公式吗？再问：不是我想问如果封闭圆柱曲面包围了一个点电荷那么由公式得出的场强是哪里的？如果是侧面的那按理说侧面的场强不应该相等因为场强不是和半径成反比的嘛再答：不是这样

电荷只会分布在球面上,不管是球壳还是实心球.根据高斯定理,球面内部电场强度为0再问：电荷是分布在球面上，但是也应该有电场分布啊，为什么只有球外有电场球内没有呢？再答：高斯定理。。。再问：高斯定理是“E

2πrhE=λh/ε.因此高斯面上任意一点的电场强度的大小为E=λ/（2πε.r）

败啦败啦!难道就没有人好好学学镜像法求场强吗?

是不是想求空洞中的电场强度?先假设一个完整的半径为R的大球进行计算,得出场强E1；再假设一个体电荷密度-ρ的小球,得出场强E2；（以上两步都是利用高斯定理）注意,E1和E2都是矢量,而且表达式里分别以

两个点电荷A和B在O点处产生的合场强大小为E1=kQ(r2)2+kQ(r2)2=k8Qr2，方向由O指向-Q．根据静电平衡导体的特点可知，球壳上的感应电荷在O点处的场强大小与两个点电荷A和B在O点处产

可用高斯定理得出电场强度=σ/4ε0（0是下标）,σ=q/2π(r^2),1/4πε0=k=9*10^9

解：设以半径r做高斯面整个球体带电总量用积分q（总）=∫p*4π*r^2dr(积分限从0到R)=πKR^4.当r>=R时,E=q(总)/4π*ε0*r^2(此处ε0为真空介电常数)相当于整个电量集中在