静态工作点,电压放大倍数,输入电阻,输出电阻值与理论计算值比较,分析误差-搜答案-拍题作业网

Rc越大,电压放大倍数越大、输入电阻不受影响、输出电阻越大.Ri越大,电压放大倍数越小、输入电阻越小、输出电阻不受影响.静态工作点中电流越大,电压放大倍数越大、输入电阻越小、输出电阻不受影响.但静态工

aa前一个问题问的范畴太大.你问的是晶体管基本放大电路吧.静态工作点不稳定的原因很多,如温度的变化、电源电压的波动、元件因老化而使参数变化等,其中最重要的是温度的变化的影响.1.晶体管集电结反响饱和电

这是最基本的计算,例子很多,把原件参数套进去计算嘛.再问：帮忙再看下这两个：1.试用74LS161集成芯片构成十二进制计数器多谢了2.用卡诺图化简下列式再答：毛病，自己不好好学

负载电阻RL对静态工作点有影响,因为Uce=Ucc-IcRL,RL直接影响到Uce.另外,电压放大倍数K=BRL/Rr,其中,B是三极管的电流放大系数,Rr是三极管的输入电阻,所以,RL越大,放大倍数

负载过小或输入电阻过大

静态工作点是为了使晶体管在小信号放大时不失真；交流参数没有影响.Rc,Rl对放大器输入电阻没有影响,输入电阻主要有晶体管be结电阻rbe组成.一般,Rc,Rl越大,放大倍数越大；Rc越大,输出电阻越大

这个虽然很简单,但是写出来是一大版,这里不好答吧.建议找找电工学教材上的例题再问：谢了

1、前后级放大电路的静态工作点1）前级放大电路的静态工作点分压比α=Rb2/(Rb1+Rb2)=20/(30+20)=0.4基极偏置电源等效电动势Ub=αUcc=0.4×12V=4.8V基极偏置电源等

由于此处无法输入公式,电路参数的求解方法请看附件.

我分步做了,看图：（在图上点击看大图）

静态工作点和微变等效电路下次再发.要多给分哦,这题比较麻烦 .一次我发不完图片,你重复追加问题,我再追加答案.

静态工作点：基极电位：Vb＝12/(7.5＋2.5)x2.5＝3V,集电极电流：Ic～＝Ie＝(Vb－Ube)/Re＝2.3mA,基极电流：Ib＝Ie/(1＋阝)＝2.3/31＝0.074mA,集电极

负载电阻对静态工作点无影响,对电压放大倍数有影响.放大倍数=-?齝//Rl）/rbe

IB*Rb+VBE+IB(1+β)Re=5V所以：IB=(5-VBE)/[Rb+(1+β)Re]IC=IBβVCE=6V-(-5)V-0.5ICRc-(1+β)IBReAu=uo/ui=-0.5ibβ

以共发射极单管放大电路为例：1.静态工作点对电压放大倍数影响比较小,IE大一些放大倍数略有增加.但是静态工作点对输出波形影响较大,低了会产生截止失真,高了会产生饱和失真.2.负载对放大倍数影响较大,R

无法通过静态工作点估算三极管的电流放大倍数.

如果用测量值计算时：直流放大倍数=Ic/Ib;交流放大倍数=△Ic/△Ib,因此也可简单地理解为各自减去静态工作点的电流或电压值,然后再相比

假设rπ=0,ro=∞,静态工作点：ib=(VBB-vbe)/((1+β)Re)交流放大倍数：Av=1/(1+Rb/((1+β)*Re)))输入电阻：Ri=(1+β)Re输出电阻：Ro=Rb/(1+β

那要看你用的什么样的偏置电路,如果发射极无反馈电阻的话,那么集电极静态电压会随着放大倍数的增大而减小.如果发射极有电阻（此电阻起负反馈作用）,那么静态工作点变化很小.当然还是有影响的.