PN结的反向电流公式-搜答案-拍题作业网

PN结上的电压与电流不符合欧姆定律.当PN结外加正向电压时,电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时,电流约等于反向饱和电流.当外加电压极性不同时,PN结表现出不同的导电性能,即出现单向导电性.

没有反向电压了,反向电流就没了,在高压条件下你想让它没电压是绝对不可能的,你想要反向电流小倒有可能,想一点也没有,现在还没人做得到.

稳压二极管也是用的PN结反向伏安特性,只是比一般的PN结击穿电压低,还是可逆的的,伏安特性更陡.一般串联电阻,电压增加一点点,电流急剧加,等效阻抗变小,拖低在稳压管上的电压.

你想问什么的?是普通二极管还是稳压二极管,至于电流大不大你应该好好的去看看它们的伏安特性曲线

正向导通、反向截止；反向击穿答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定.但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A～10

我想是没有反向电流密度公式这回事.由於在一定的反向电压下,反向的电流会很小(甚至为零);只是当反向电压达到某值后,反向电流就会激增,此时称二极管被击穿.通常我们会认为反向电流近似为零.

因为半导体本身也是能够导电的,PN结的反向电流其实就是半导体的导电电流罢了.不过导电性能非常差,不过比一般的绝缘体导电性能还是要强的.反向电流是毫安级别的.而导通的电流一般是用A作为单位的.

少数载流子浓度增大.

很明显,有光照的时候,PN结反向电流数值大.光敏二极管和光耦就是根据这种原理做出来的

当外加反向电压时,呈现的电阻（反向电阻）很大,通过的电流很小（通常可以忽略不计）

反向电流的主要成分是耗尽区边界的少子扩散电流和耗尽区的产生电流；正向偏置的PN结中N区电子通过扩散进入P区,在P区边扩散边与P区空穴复合,而空穴由电极处补充,从而转化成空穴电流.电子进入P区形成的是电

如果加到PN结两端的电压达到一定的值的时候,反向电流突然增加,这个现象称为PN结的反向击穿又称电击穿.PN结击穿有两个原因,一个是雪崩击穿,还有一个是齐纳击穿（大多出现在齐纳二极管中）雪崩击穿和齐纳击

若是以最常见的整流二极管而言漏电流由以下6部分组成1.保护胶壳表面2.保护胶壳本体3.硅胶表面4.硅胶本体5.芯面表面6.芯片本体再问：若以半导体物理知识回答，是不是分为漂移电流（主要）、扩散电流和基

二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]近似估算,式中t0为参考温度.上式表明温度每升高10℃时,Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一

正向导通,在升压过程中,存在电流随电压线性相应区域,超出线性电压上限,出现非线性电流,反向截止不过有个截止电压,在截止电压之下,只存在漂移电流；当反向电压超过节内建场电压是,则节被击穿.

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

很小,导通,很大,截止

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!