npn型硅管基极与发射极电位差

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.

正如楼上所说,电阻是Q1的负载电阻.少了它Q1就没有意义了.Q2也就得不到应有的电压和电流.因为只有Q1有了负载,才可能有输出.如果没有负载,就没有输出了.而没有了输出.Q2哪来的输入呢?至于用多大的

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

你的问题表述不准确：1、如果是基极上串联的电阻目的是减小静态或动态信号电流,防止饱和失真,有的也起到增加输入阻抗作用,发射极串联电阻是为了稳定工作点、是负反馈电阻.2、如果你问得是基极与发射极间并接的

我来说吧,三极管要放大,有两个条件：发射结正偏,集电结反偏.对于NPN管来说,发射结是基极（P）指向发射极（N）,集电结是基极（P）指向集电极（N）.而且对于半导体来说,多子是携带电荷的主流,代表主要

下拉电阻,拉低基极电压,减小干扰,让此NPN型三极管在不该导通的时候（基极无导通信号时）保证不误导通.

饱和时候,电子从掺杂浓度最高的发射极出发,在电场力作用下到达基极,由于基极最薄,而集电结正偏,电子能很快越过基极和集电结,到达集电极形成电流,难度比放大状态更小.这种问题不要用手机问,100字不够的.

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

你确定你测的电流方向正确吗?根据集电极电流是基极电流的β倍,发射极电流是基极电流的(1+β)倍确定硅管导通电压为0.7V,锗管为0.3V,由所测电压相减所得,剩下那个就是集电极,根据NPN和PNP情况

共发射极：信号从基极输入,从集电极输出,集电极与电源之间必须有一个电阻（负载电阻）.共集电极：信号从基极输入,从射极输出,负载（如喇叭）串联在射极与地之间,集电极直接接电源.共基极：信号从射极输入（射

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

第一个问题,是都流向E第二,电势肯定不同第三,不是,因为存在电势差,有等效电阻楼主可以参考电子电路基础再问：应该来说，Vbe差不多是0.7V（稳定工作导通时）那么假设e是接地的，那么B应该是0.7V的

三极管有三个工作装态,截止,放大和饱和,一般像音响是在放大装态,其它的基本上都是在另外两个装态的,假如把三极管比作一个水龙头的话,那么,基极相当于是水龙上的可以扭动的开关,集电极相当于进水口,发射极相

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端