MOS管漏电流和漏源电流

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵.三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做

RU7088R：VGS＝10V,VDS＝70V,ID＝40A,

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——★1、三极管为电流控制元件,而mos管属于电压控制元件,驱动功率极低.——★2、三极管导通时,受PN结的限制,电压降约为0.035V,而mos管属于电阻性器件,导通时的电阻可以低到零点几欧,性能明

假设没有三极管,并将下面运放的6、7相连,就是一个运放跟随器,电压放大倍数=1,运放7的输出等于输入端5的电压.因为运放的两个重要特征：1）开环电压放大倍数非常大,10的n次方；2)运放的输入端内阻很

不好意思,这个不是我的专业,不过我想你只要在网上随便搜索一下,就可以找到很多

栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.

MOS管的耐压一般是指源极和漏极之间的雪崩电压,如果在源极和漏极之间加上了大于它的电压,MOS管会立即损坏；最大电流是指最大漏极允许电流,MOS管在工作中不允许超出此电流,否则会严重发热而损坏；导通阻

这个东西在国内教科书里没有,必须找国外教科书才行.我印象中,20世纪50年代,美国的AT&T公司在研究FET特性时,利用过一个水闸模拟JFET控制机理的研究,这时把控制水闸（其实就是个水龙头）的开关认

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

电阻很难做进芯片内,体积也大,恒流源的作用和电阻一样,但可以用半导体做,能做到芯片内.

由问题可知你对MOS管还是有一定的了解.一般的回路图里,MOS管的源极接一个电阻,然后接地.此电阻一般很小,为毫欧级,主要用于电流采样,把电流讯号转化为电压讯号,用于监控回路电流.如还有疑问可把回路图

因为场效晶体管的输入电阻rGS是很高的,比RG1或RG2都高得多,三者并联后可将rGS略去.显然,由于RG1和RG2的接入使放大电路的输入电阻降低了.因此,通常在分压点和栅极之间接入一个阻值较高的电阻

1、零序电流：当三相对称系统发生了故障,例如发生了一相接地或两相短路,三相对称系统即变成了不对称系统.这时,可用对称分量法,将一组不对称向量（可以是电压,也可以是电流）分解为三组对称的向量.一组为正序

没有上下文不好解析,开关电流说不好,MOS管的峰值电流应该是管子的参数,就是能承受的最大电流,最大漏极电流和变压器一次测峰值电流是同一个东西,就是在电路工作的时候初级线圈的最大电流.

漏电流这个我倒是明白,一个耐压为100V的电子元件用一个输出为5KV的仪器来测试耐压.毫无疑问耐压100V的电子元件是禁不住测量的.然而测试完毕之后电子元件完好无损,这是因为电压虽高可流过的电流只有几