moc3021 接双向可控硅的时候,那个330Ω电阻的功率是怎么计算出来的

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/27 17:16:08
双向可控硅如工作在第一象限是指T2+,G+,T1-那么T2+是相对T1为正?何为相对为正?T1T2接的是交流电呢?

看图再问:单纯看这个表我知道是怎么回事,问题是如果G接的是交流触发电路呢?T1T2接的也是交流电,那么怎么理解G极电流是流入还是流出?再答:图片里面已经包函了G极电流的进出方向。请放片放大来看。再问:

求大侠解答吹风机(电钻)开关双向可控硅调速原理 顺便看下我发的这张图对不对,

电位器调节后的有效阻值越小,驱动可控硅的电流就越大,可控硅就越容易被驱动,电机上得到的交流电被斩去的就越小,电机的转速就越大.反之,电位器的阻值越大,市电过零后的电压峰值必须更大才可以驱动可控硅,电机

可控硅和可控硅模块谁知道可控硅的工作原理?那家公司的可控硅模块质量好?

可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司.可控硅工作原理:可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可

帮我解释下面的电路图 双向可控硅有什么作用?如何通过可变电阻来调节 R4的电压

触发电路由Diac、R2、C1、R1、RV1构成电源通过Rv1和R2对C1充电,当C1两端电压充电达到DIAC击穿电压时,Diac击穿导通,触发电压电容两端的电压通过R2、和Diac加在双向可控硅的K

双向可控硅,如BT137,136等,到底是通过G极的电压还是电流的大小来控制导通角的?

——★1、可控硅是电流控制器件,导通角度由触发电流驱动的.——★2、可控硅是电流触发、导通的.而电压也会影响电容器的充电时间,影响导通角度.但是,使可控硅导通的关键因素是(触发)电流.再问:也就是说图

单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点是什么?

一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压.以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态.另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉

电风扇中双向可控硅的阳极、和阴极

没有阳极、阴极,只有T1、T2和G极再问:在电风扇电路板中的符号是啥?再答:元件代码一般写作BCR再问:——★1、电风扇电路板的控制元件是双向可控硅。——★2、只要把双向可控硅的阳极、和阴极(用导线)

请问与大功率双向可控硅并联的阻容电路或压敏电阻损坏后,对可控硅有什么影响?

阻容电路有吸收高次谐波和提高可控硅抗干扰能力;而压敏电阻在输出电压出现异常升高能保护可控硅.这两种措施都是用来保护可控硅可靠工作而设的.当阻容电路损坏后有可能不会马上体现出来,但却会让可控硅工作时可控

双向可控硅触发电路R1和R2相同为10K2W 开关S闭合可控硅能导通吗?开关S断开后可控硅又能否断开.200K的电位器在

开关闭合后,电容c1开始充电,当充电至scr1的导通电压时,触发双向可控硅的控制极.双向可控硅工作,碰焊机种有电流流过.断开后触发信号消失,所以可控硅不工作.电阻和电位器组成积分电路,可以改变可控硅的

双向可控硅可以并联吗,电流3a,使用的是12a的可控硅,有散热器,使用时表面温度50多度,再并联一个可以改善温度情况吗,

这种情况可以并联,但是作用不大.因为可控硅元件离散性大,不会同时导通,很有可能有一个根本不会导通,也可能因为驱动功率不足导致两个都不导通或者导通不可靠,就算能导通也搞还要加均流电阻.如果发热严重,加大

双向可控硅和单向可控硅从型号上怎么区分

kk,kp单向,ks双向,导通后阳极阴极有饱和压降,电流大小有负载决定,超过可控硅额定电流就击穿,工作状态下阳极和阴极电流相同

双向可控硅bta41-700b触发电路的导通电压电流是多大?

导通电压:VG=0.2V-1.5V电流:A、工作在I、II、III象限时电流最大为50mAB、工作在第IV象限时电流最大为100mA

moc3021 接双向可控硅的时候,那个330Ω电阻的功率是怎么计算出来的?那个外部RC电路的参数是怎么确定的呢,怎么确

电路图呢?再问:在这呢再答:1.可控硅的导通的条件:两级有电压,G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时,光耦导通,两个电阻R8.R10和光耦形成回路。在交流电过零点时,G极可得到一个低电

双向可控硅加了RC电路或者压敏电阻还是被击穿,是怎么回事?RC值不对?.

RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收(平波作用),RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致,并且要注意电容的高频响应,应使用高频特性好的.压敏电阻本身有反应时间,该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽

谁知道双向可控硅阻容吸收的电阻的功率是多大?

RC回路中的R8电阻1/8W足够了另外R6电阻的功率根据双向可控硅IGT1和IGT3的大小来计算,一般1/4W也足够了再问:昨天我用1/8W100欧的,0.22UF接的一会电阻就黑了,负载3000W。

可控硅的导通角是什么概念?

一个交流电的周期为360度,正半周为180度,负半周180度.可控硅又称可控整流元件,交流电通过整流元件时,元件让正180度电通过,阻止了负180度的通过,即所谓半波整流.交流电通过可控硅时,并不是让

单片机控制双向可控硅无级调光的过零电路怎么弄啊?

1.不需要PWM调整占空比输出,只需要固定为50%占空比脉冲信号输出,也可以用定时器控制产生,频率500Hz~1KHz,2.过零检测信号可以用半波整流获得3.用ATmega16控制市电220V/50H

可控硅触发电路谁能帮我设计一个双向可控硅控制380V的触发电路.要有电路图,各元件的选取要明确.是双向可控硅KS100,

这九只元件的简单双向可控硅触 发电路,就是你所需的,如下图,电阻的大小可控制可控硅导通角的大小,也就说能够 方便的调压.供你参考!二相的更简单,如下图: