作业帮自由电子和空穴各自从高浓度区域向交界面移动后复合,为何会形成电位差?
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/28 17:05:05
严格说来不是扩散现象的研究对象是溶质,方向是从高浓度到低浓度渗透现象的研究对象是溶剂,常常就是说水,方向是从低浓度溶液到高浓度溶液,也就是所谓的高水势到低水势为什么要说“严格说来”呢因为类比以下,如果
对于n型半导体,其中的电子是多数载流子,但是这些电子主要是来自于施主杂质原子的电离.当一个施主原子电离出一个电子后,本身就带有一个正电荷,则它们的正负电荷相等,保持为电中性；许多施主原子电离出同样多的
细胞失水和吸水有主动运输和被动运输,协助扩散自由扩散自由扩散水是从高浓度向低浓度主动运输水是从浓度低向浓度高流动主动运输要能量ATP,载体.协助只要载体,.被动什么都不要.
彼此彼此,空穴其实就是自由电子跑掉后留在原地的正电荷,空穴的移动其本质就是自由电子的移动,只是一种等效的概念一般的把P型半导体和N型半导体配合起来组成三极管使用
是这样负极的电子流向正点空穴,原空穴附近的电子流向更靠近正极空穴.正极附近的电子流向正极,在正极附近产生空穴.这个过程循环反复.形成电流二极管负向是截止的,正向压降根据材料不同,0.3v或者0.7v导
你思考了许多问题,解决之后就都清楚了.请搜索“pn结耗尽层”和“pn结势垒”这两个词条,先把pn结的基本概念弄清楚,然后再考虑pn结单向导电的基本原理,问题就明白了.
（1）每个激光光子的能量：E=hυ ①设激光器每秒发射n个光子P=nE ②由①②联立解得：n=1.0×1027 ③（2）设电子经电场加速获得的速度为v，由动
请参看大学里的模电课本,很详细.我只能说,电子和空穴超相反方向运动
电子与空穴的定向运动都会引起电流,同时也要考虑PN结的电子空穴复合. 例如给出的下图,红黑箭头碰撞的地方表示电子空穴复合. &nbs
是溶质浓度!一般来讲浓度都指的是溶质浓度
电子去的方向为“向正去”.输出电子的方向为“从负来”这是观念设定方向!（事实上,一个电子也没流走!）
因为N型半导体,主要是在硅原子中掺杂了V族元素,V族元素外层的四个电子会和硅原子外层的四个电子形成共价键,这样多出的一个电子就会挣脱原子核的束缚变为自由电子.而共价键中的电子由于热运动也会脱离共价键的
对外不显电性,P型半导体N型半导体都不带电,都是电中性的,
你这句话首先是对的,其实真正在导体中流动形成电流的只有电子,P形半导体其实流动的也是电子,只是说这些电子在逐步的填补空穴,可以从相对上来认为是空穴在流动.但是你想,空穴是什么,它并不是真实意义上的物质
先画一幅图,典型的PN结的,电子与空穴图,左边N型区,右边P型区,中间是耗尽层,先搞明白了它们的运动关系,再闭上眼就会很容易想象到了
顺电流方向电势降低,电流方向又与电子移动方向相反电场的方向大致从高电势到低电势.电子是带负电的,初速度通常很小,受力的方向与电场的方向相反,所以自由电子通常向电势高的地方运动!再问：确定?再答：我确定
首先,电子在半导体中的能级是准连续的,可以近似认为是一簇一簇距离非常近的能级构成--这每一簇能级就是能带,能带和能带之间是有相对较大的能量差的,之间这段距离称为能隙（禁带）.而电子在金属中的能带结构简
完全正确.
会复合的,但是在没有外界注入的条件下,这个量很小.至于发光就跟能带结构有关,这种情况下能量一般传给晶格了~或者说是传递给声子了~
本征半导体中掺入[ⅢⅤ]族元素例如[掺入Ⅴ]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[＜]自由电子浓度[＜]本征空穴浓度.2009年11月20日8:53:01