电路如图所示,已知Ucc=12v,Rb=120kΩ,Re=3kΩ

（1）IB=(12-0.2)/400=0.0295mA （0.2：锗管Ube按0.2V计算） IC=0.0295*80=2.36mA UCE=12-2.36*3=4.92

1、带负载时Au=-β*(Rc//RL)/rbe空载时Au=-β*Rc/rbe2、输入电阻Ri=Ui/Ii=Rb//rbe输出电阻Ro=Rcrbe=rbb’+β*UT/ICQUT约26mV不知道rbb

又是一个没有图的唉、、、、、

你好：1.12-0.7=11.3V,IB=11.3V÷280K=0.04mA,IC=0.04×60=2.4mA,UC=2.4×3=7.2V,UCE=12-7.2=4.8V,大于饱和电压,所以工作在放大

第一级：uo=-ui*5R/R=2*5=-10V第二级,1:1反相：uo=20V再问：可是答案是20V再答：第一级：uo=-ui*5R/R=-2*5=-10V第二级，1:1反相：uo=20V我前面没注

静态分析：根据KVL定律Vcc=Ib*Rb+Vbe+Ve其中Ve=Ie*Re=（1+β）*Ib*Re,（这是因为集电极电流恰好是基极电流的β倍）所以Ib=（Vcc-Vbe）/（Rb+Re+β*Re）又

(-Ucc-Vbe)/{Rb+(1+B（贝塔...）)Re}=IbB（贝塔...）iB=ic约等于Iero=rcri=rbe+(1+B（贝塔...）)RL//Re直接心算的,可能有点小问题,小信号模型

Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c

UBB是基极电压（下拉电阻）,UCC是发射极电压（有上拉电阻）.

?再问：已经有了需要的可以找我呀、、、

Ub=12×8.2/8.2+36Ue=Ub-0.7Ic=Ie=Ue/1KUce=12-Urc-UrcIb=Ic/βK1=2.5/1K2=2.5//12/1.再问：Ub=？不太明白呀！再答：Ub即基极电

Uab=0即ab间没有电流,因而0.5A电流源全部加在20欧电阻上,可求得该电阻上电压为10V.同样40欧电阻上也没有电流,从而a点下面的10欧电阻上的电压也为10V、即电流为1A.30欧、60欧电阻

基极电流：IB＝Ucc/RB＝0.04mA,集电极电流：IC＝阝IB＝2mA,电压：UCE＝Ucc－ICxRC＝6V.

直流通路1：VCC=12V通过Rb、三极管基极和发射极到“地”直流通路2：由于VCC＝12V,“直流通路1”使得三极管成导通状态,因此另一条直流通路为　VCC＝12V通过RC、三极管集电极和发射极到“

这是典型的串联分压式电流负反馈放大电路,具体计算书上有很详细的步骤.这里问计算太麻烦了.把思路简单告诉你吧.用电阻分压公式计算出VB,然后计算IE=(VB-Ube)/Re,IB=IE/(1+β),IC

这类问题并不难我已回答过多次了不知是老师没有教好还是同学没有//////,其实真正搞清楚也不过个把小时,希望您不是为老师"做"的晶体管交流放大计算：放大倍数Au=u输出/u输入u输出=ic×(RC//

自己去谷歌搜

(1)RB1:RB2=60:20=3:1积极电压Ub=Ucc/4=4VIe~=Ub/Re=4V/4k=1mAIb=Ie/(1+β)=~=0.016uAIc=Ib*β~=0.984mA(2)上图是交流信

唉,电工学,楼上的都是灌水的啊.先把电流源和R1简化成电压为40V,内阻为10Ω的电压源.如图所示：然后在左边的环里应用吉尔霍夫电压定律：I3（R1+R3）=20-40得I3=-1A应注意,转化完的电

Ic=(15-0.3)/3000=0.0049(A)Ib=0.0049/40=0.0001225(A)Irb=(9+0.7)/20000=0.000485(A)Irx=0.0001225+0.0004