用bjt对地电位判别工作区-搜答案-拍题作业网

NPN:VB>VE,VBVE,VB>VC：发射结正偏,集电结正偏,饱和状态VB

由于硅BJT的VBE=0.7V,已知BJT的电极A的VA=1.3V,电极B的VB=2V,电极C的VC=6V,故电极C为集电极.又因为BJT工作于放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏可知,电极A是发

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你的理解是正确的,共地就是为了给整个电路提供一个参考电位,另一方面是电磁兼容方面的考虑,共地可以防止有太大的干扰使波形失真.再问：除了波形失真还有其他影响吗？看到别人有说静电什么的不太懂再答：如果是考

处于放大状态时的三极管,基极与发射极之间的电压基本等于二极管的正向导通电压.一般硅二极管导通电压在0.6到0.7V,锗二极管导通电压在0.2V左右,所以你的这只三极管是锗管.同时基极电压处于发射极和集

锗,PNP.

VC是电源,则无集电极电压,不能判断VC是集电极电压Vce,则1、2,工作在线性区；4,工作在截止区；3、5,工作在饱和区,3为浅饱和,5为深饱和；全是NPN三极管.再问：NPN:VB>VE,VBVE

a--发射极b--基极c--集电极NPN型硅管

静态工作点,如果Ue1.1v工作在饱和区

答：1）三极管工作在放大状态；（此时发射结Ube=0.7V正偏,Ubc=-2.3V反偏,所以符合放大状态判定条件）2）工作在截止状态；（此时Ube=0.4V虽然正偏但是没有越过0.7V的门槛电压,所以

锗管,NPN,8V端集电极C,5,3V端基极B,5V段发射极E.分析如下：1.根据测得几个电压均是正值说明管为NPN管,2.根据其中两端间压差为,0.3或0.7其中之一说明两者是基极和发射极,是0.3

理论上接地良好的话是0伏你想一想啊中性点既然接地了那中性点对地岂不是自己对自己之间的电位吗自己对自己之间还会有电位差吗有的话那就是接地不良了（有人会说：在三相不平衡的情况下中性点不会是0伏的存在电压而

你只要记住放大电路工作的条件,也就是发射结正偏,集电结反偏即可.从题目中可以看到,三极管是放大状态,所以是导通的,那么发射结的压降应该是0.2V（锗管）或者0.7V（硅管）,从Ua和Uc的电压判断,这

可以做一个比较器呀,比较器的基准电压就做成1V,接到比较器的负输入端,你的待测点接到比较器的正输入端,输入电压高于1V时,比较器就输出高电平,输入电压低于1V时,比较器输出就为低电平.这样可以用输出去

B为6V,E为6.2V,C为9V,PNP型锗管,因为Veb=6.2-6=0.2V,这是PNP锗管能工作的电压,其它都不能正常工作.

FET饱和区是恒流区吧,也叫饱和区,是指Ids的电流达到饱和的区域,此时Ids与Uds无关了,达到了所谓的电流饱和,此区域呈现Ugs与Ids的控制状态.类似三极管的放大区（呈现电流互相控制状态）.其实

c

U1为集电极电压,U2为发射极电压,U3为基极电压；此三极管为pnp形管.再问：能解释一下怎么来的吗，谢谢再答：一般pnp三级管发射极接电源正极，集电极接电源负端，基极偏压对集电极也是负端，也就是说，

思路：VBE=VB-VE；VBC=VB-VC；VCE=VC-VE；在三极管正确偏置时,这些差值中,VBE、VCE：>0,为NPN型；

1,图a,图b,NPN管,基极电压