理想二极管有开启电压吗

在低于开启电压时,二极管双向都不导通,也就无所谓单向导电性.二极管的单向导电性是说在正向开启电压之上,是其本质属性,不会变的.　　BYM26A是硅高速整流管,正向导通电压约0.7V,而图中的信号电压幅

选-2v.下边是实际仿真结果,输出U0与电阻大小相关.

工作电压和反向电压是两个不同的参数指标

先假设二极管都是截止的,再慢慢分析它们能否导通.a图,D1的正极是＋5V,负极是＋3V,肯定会导通,V0＝＋5V；D2将是截止的.b图,D1是截止的,此时暂时认为：V0＝＋3V；那么D2将是导通的,这

D1和D2是共阳连接,D2的阴极的电位比D1的阴极电位低10V,所以D1不可能导通,D1承受反向电压,截止!D2、10V电源、15V电源、电阻4K,组成一个回路,回路电流(逆时针方向)：I=(10+1

我们从分子力学分析吧,要让二极管中的电子-空穴能穿越PN结,它们必须获得足够的动能才可挣脱原有位置的分子应力,在低温时,粒子的热运动速度很低,必须增加足够的电场力来驱使它们脱离原位,这个电场力就要靠较

1D1截止D2导通D3截止V0=0V2D1截止D2导通D3截止V0=-6V

Uo1=5VUo2=3VUo3=-2VUo4=-4V再问：要过程怎么写的，分析一下？再答：输入正电压要高于+5V二极管V1才会导通，输出被限幅在+5V；同理，输入负电压，要低于-4V二极管V2才会导通

有的,书上理论讲硅管0.7,锗管0.3.但是实际的上和通过的电流有关系,因为各种信号的二极管工艺及其生产时所使用的材质掺杂不同就做出了具有不同特性的二极管,这个正向的电压一般和二极管的流过电流相关,仔

第一个D1由于5v电压将二极管导通,V0输出是5V,下面的E起不到作用,后一个D2二极管反向截止,D1导通,相当于短路,所以V0输出是0

U0的电压就是管压降,到啥时都是0.7V,通过二极管电流是,忽略R2,6V-0.7=5.3V,5.3/3000=0.00177A.R2上电流0.7/3000=0.00023A

D2因为10V＜15V,处于截止状态,相当于开路；D1通过R可以有正向导通电流,理想状态下,相当于短路,电压为0V.所以“理想二极管的情况下Uab之间的电压为0V”.祝你新年快乐!

我来解吧,基础要掌握!理想二极管Vf=0v,求解这种题最好的方法就是把各点电压标清楚就一目了然了.设最下面电位为0V,其他各点如我标的图,还有很重要的一点可以从图上看出,"电位在电压源外面从

二极管有个导通电压,当两端的电压超过导通电压二极管才导通,这个电压是不变的.这个电压大概是0.7V.

解题思路：二极管和电阻两端的电压=两个电源电压之和=5V（电流按照顺时针为正）,如果假设电阻上没有压降,那么二极管有正向压降,所以导通.那么Vo电压等于二级管压降（理想为0）加上5V电源电压之和,考虑

二极管有逃逸势E和内电场内建电势Ub.逃逸势E是二极管的固有参数,其大小与材料及掺杂浓度有关.硅二极管逃逸势E大约是0.7V,锗0.2~0.3V.同种材料,掺杂浓度越高,逃逸势E就越大.导通前平衡,U

二极管只有正向管压降,硅管的正向压降为0.6V-0.8V,锗管正向压降是0.2V-0.4V,也就是说给二极管两端加上一个0.6V电压二极管就可以导通,正向管压降就是说,如果给二极管加一个3V电压,二极

你的问题怎么不清楚,不知道你问的是什么.锗二极管开启电压是0.2-0.3V硅二极管开启电压是0.5-07V

二极管的压降,是指正向导通时、两端的电压；通常规定正向电流等于1mA时的电压为二极管的正向压降.二极管的反向电压一般是指击穿电压,即能够达到的最高耐压,工作电压必须小于最大反向电压.

能.你可以测量电阻两端电压,如果有电压就说明二极管导通了.要求电压表内阻远大于该电阻.