晶体管电路设计铃木雅臣集电极极电压怎么出来的-搜答案-拍题作业网

基极电流比集电极的大说明晶体管没工作,工作后测测出数据才有用.放大倍数=Ic/Ib.

硅管,NPN,放大状态下……

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

a、480KIb=Ic/βIb=(Vcc-Vbe)/Rb≈Vcc/R

我是这样认为的,你说的应该是集电极输出电路,以NPN管为例,这种电路的特点是在集电极C和电源+E之间要接入一个电阻,通常我们称这个电阻为集电极负载电阻,当基极为正时（由0到正）,因为三极管的放大作用,

纠正你的一个错误,不是发射极,而是发射结,后面那个应该是集电结.所谓正向偏置和反向偏置,其实是针对PN结而言,如果P区的电压比N区高,称为正向偏置,反之N区的电压比P区高,则称为反向偏置.晶体三极管都

主要是通过电流分配关系.IE=IC+IB,IC=βib,改变基极电流,也就改变了集电极电流.其实也可以采用基尔霍夫电流定律来计算.

解题思路：不管在前门还是后门，电铃都响，所以电铃应该在干路解题过程：varSWOC={};SWOC.tip=false;try{SWOCX2.OpenFile("http://dayi.prcedu.

应该到datasheet中查,而不是计算,除非你是设计晶体管

BD就正确了再问：B、D?可这是单选啊……再答：单选就选B,多选就可选D，因为基极电流变大时，集电极相应变大，超出饱和区就不变了，再大就可能损坏。

多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子,它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时,多发射极晶体管即首先进入过饱和状态,然后才驱使其后面的晶体管截止,故多发射极晶体

铃木隼怎么读

sun,第三声

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

二极管的输入特性曲线,即基极电流Ib和基极发射极之间电压Vbe的关系,当晶体管特性相同时,Vbe相同时,Ib相同,Ib相同,又有Hfe相同,所以Ic相同.静态分析时,本书的要点是经验发射极电流1毫安,

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是

先问问你有没有打错字?如果没错的话就不能判断是不是锗管.d而且还是坏的哦.如果是晶体管处于放大状态..测得集电极电压为12V,基极电压为0.3V-0.4C因为差0.3V而且在放大区.已经有前提了.该三

晶体管再放大状态下,发射极电流是多数载流子扩散运动形成的,集电极电流是基区非平衡少子漂移运动形成的

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端

集电极电压大于基极,才能把电子从晶体管的发射极极运送到集电极极,实现小信号放大,如果集电极电压低于基极,发射极的电子全部通过基极而不进入集电极,晶体管就失去了放大作用