晶体管截止公式

=DATEDIF(G15,"2012/8/31","Y")&"岁"&DATEDIF(G15,"2012/8/31","YM")&"月"&DATEDIF(G15,"2012/8/31","MD")或=T

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路.用电流、电压的交流分量来表示.即：其中Ib、Ube为晶体管的输入变量,面Ic、Uce为输出变量.方程中的四个系数hie

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

应该是晶体管的最大耗散功率.BJT的输出交流功率与其耗散功率成正比,要求耗散功率越大越好.晶体管功率的耗散(消耗)即发热,如果此热量不能及时散发掉,则将使集电结的结温Tj升高,这就限制了输出交流功率的

B3为开始日期,格式：2013-2-17C3为计划储蓄的年数截止日期=DATE(YEAR(B3)+C3,MONTH(B3),DAY(B3))

a、饱和,发射结、集电结均正偏,饱和,b、截止,发射结、集电结均反偏,截止,c、损坏,发射结电压＞0.7V,损坏d、放大.发射结正偏、集电结反偏,放大.若有帮助,请釆纳,谢谢!

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

入职日期为A1,2011年9月在B1,在C1输入公式：=(YEAR(B1)-YEAR(A1))*12+MONTH(B1)-MONTH(A1)+1在实际运用中,计算工龄一般以准确日期计算,即2011-3

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

到什么什么为止

电路的电压放大少不了它.

应该到datasheet中查,而不是计算,除非你是设计晶体管

NPN:c,b,e截止：VbVe,VcVB>Ve电流方向：b->e,c->ePNP管反过来即可.

晶体管晶体管（transistor计：MOStransistor;npn化：transistor）【简介】晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信

晶体管工作在放大区时,发射结正偏置、集电结反偏置；晶体管工作在截止区时,发射结反偏置、零电压或者偏置电压不足以使发射结导通、集电结反偏置；晶体管工作在饱和区时,发射结正偏置、集电结正偏置.

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

您的查询字词都已标明如下：什么是晶体管二极管三极管(点击查询词,可以跳到它在文中首次出现的位置)(百度和网页http://www.fcgsgz.com/Lib2004/jxzyg/wl/2/33/02

它具有把所收电波加以区分的检波功能和增强微弱电波的放大功能.初期,这两种功能几乎都是由真空管来完成的.

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.