怎么区分轻掺杂与重掺杂

不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了再问：有些不懂哎不能有个大致的浓度范围吗再答：刘恩科《半导体物理》书里应有详细的介绍，有这时间看看书就都知道了

单一变量画图,画出的是个曲线；双变量画图,画的就是一个二维的曲面.使用matlab的3dplot是可以比较简单的实现你的需求的,x方向改变掺杂浓度,y方向改变温度.z方向代表fermilevel.生成

简单的说：掺杂浓度过高,杂质原子过于靠近,从而相互结合,这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量,从而造成PN结变窄.以下信息供参考理解用：晶体是由许多原子在靠近时,通过电子轨道相互重叠并“成键”后组

掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.

N型,P型希望采纳

问题一首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体,带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子,即正电中心,2.正电空穴.所以正电荷浓度为：ND+P带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子,即负电

很多种,扩散啊,离子注入啊,你去找找半导体工艺的书看吧,很详细的

半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子（如硼）使之成为P型半导体,或掺入五价的原子（如磷）使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的

就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.

1根据你所要的电阻率从电阻率-掺杂剂的图中找到合适的比例2根据质量守恒进行计算简单的说就这两部.但是实际生产中.还要根据你所选的料以及经验而进行

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的

什么是掺杂半导体?相对而言,本征半导体中载流子数目极少,导电能力仍然很低.但如果在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强.由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类.N

可以必须的有氧

所谓的纯化学反应和物理反应的概念,只是停留在高中阶段,高中时我们可以很明确地说这是物理反应,那是化学反应,但是现在好多东西却不能区分了,现在衍生出了物理化学学科,有兴趣可以看一下啊.

在PN区交界处,扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,重掺杂区域复合较严重,而复合掉的电子有来自清掺杂区域

有人说,托尔斯泰写《战争与和平》的契机是为了探寻俄国社会的出路,我却始终觉得这种观点过于片面.我认为,一部真正伟大的小说,应该是包罗万象的,而不仅仅局限于一个小小的目的.从《战争与和平》里面,我们可以

概念上的问题首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度.而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移

晶格改变

半导体材料主要做半导体器件,构成电路,有的还可以做成发光的LED轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入