怎么判断电路工作在=1的状态

(a)三极管截止.将－6V改为+6V即可(b)三极管饱和.将Rb改大为120K左右(c)三极管虽然还在放大区,但接近饱和状态,应加大Rb到100K左右（如果不考虑发射结压降,三极管刚好饱和）再问：请问

选A假设无二极管,则电阻与10V电池的节点处电势为-10V；电阻与二极管D的节点处电势为-5V；如图串入二极管可知,二极管D的正极为-5V>负极的-10V,所以正向导通；正向导通时理想二极管压降为0,

先假设二极管都是截止的,再慢慢分析它们能否导通.a图,D1的正极是＋5V,负极是＋3V,肯定会导通,V0＝＋5V；D2将是截止的.b图,D1是截止的,此时暂时认为：V0＝＋3V；那么D2将是导通的,这

负载、空载和短路状态

对NPN三极管,工作在截止区时下UBE＜0,UBC＜0工作在放大区时UBE>0V,而UBC＜0工作在饱和区时UBE＞0,UBC＞0对PNP三极管,工作在截止区时UBE＞0,UBC＞0工作在放大区时UB

．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果.两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大（为反向电阻）,一次测量出的阻值较小

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA(电压单位是：伏,电阻单位是：千欧,所以电流单位：毫安）Ic=βIb=100*0.1=10mAVc=5-IcRc=5-10*2=-15V,实际在应用中,其电压在0

静态工作点,如果Ue1.1v工作在饱和区

数字电路里,晶体管基本上都是工作在开关状态,你可以判断BE是否导通,如果导通就直接认定是饱和导通,如果不导通则三极管截止,这跟放大倍数没关系.在饱和状态下,IC=BIB是不成立的（即IC与IB是非线性

由输出特性曲线看出来的.再问：看不出来啊，输出特性曲线是指一定基极电流下，集电极电流与集电结电压uce之间的关系曲线，没提到电源电压ucc啊。不过uce=0时处于饱和区倒看懂了。再答：你看uce和ic

CE间压降.等于1.4v(锗管0.6v)为饱和状态.大于1.4(锗管0.6)小于电源电压为放大状态.等于电源电压为截止状态.

Ib=(10v-0.7v)/Rb=9.3/200K=0.0465mAIc=βIb=50*0.0465=2.325mAUce=10v-Ic*Rc=10v-6.975v=3.025vUce>Ube=0.7

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

在这里没法说到“838电子”去看看吧

Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和

1.在代表极限功耗的虚线双曲线上找一点,例如与40μA线交点,交点坐标为24V、2mA,故管子极限功耗PCM=24V×2mA=48mW≈50mW漏电流ICEO=10μA击穿电压Ubr(ceo)=50V

从图来看,可以测集电极电压来判断：集电极电压接近或等于14V,则三极管截止；集电极电压接近或等于0V,则三极管饱和；集电极电压在7V左右,则三极管处于放大状态,过高过低都会使被放大的信号产生失真.再问

看集电结跟发射结是正偏还是反偏再问：有什么区别？再答：三极管在工作时有三种状态，放大，截止，饱和。再答：根据集电结跟发射结的状态可以求出

静态工作点,又称为Q点,应该位于输出曲线图负载线的中点.可直接根据电路图估计.在晶体管共发射极电路,且发射极接地的电路中,当晶体管处于饱和状态时,Uce=0,晶体管集电极电流最大,Ic=Ucc/Rc而

根据电源与负载之间连接方式的不同,电路有通路、开路和短路三种不同的工作状态,这三种工作状态各有其用处.例如一些调节或控制回路常用到短路.