如何利用霍尔效应测量某种半导体材料的霍尔系数-搜答案-拍题作业网

一般来说,霍尔效应是用来测载流子浓度的,你加一个磁场,加一个固定的电流强度,测电流垂直方向上的电压.就可以得到霍尔系数,取倒数就是ne得到载流子浓度.反过来,如果你要测磁场强度,那你就要先知道载流子浓

根据加磁场后形成的电场方向判断半导体的类型.由于空穴和电子带电性不同,给一块未知类型的半导体施加恒定的电流,半导体内的空穴运动方向与电流方向相同,电子运动方向与电流方向相反.再给这块半导体施加一个垂直

霍尔效应是指当施加的外磁场垂直于半导体中流过的电流时,会在半导体垂直于磁场和电流的方向上产生霍尔电动势

你自己也说了正负电荷受洛仑兹力方向相同,但产生的电势高低就相反了.所以,半导体中自由移动的电荷类型不同霍尔电势差方向就相反了.N型半导体的载流子是电子,P型半导体的载流子是空穴（等效于是正电荷定向移动

加相同的电流与磁场,不管是何种载流子,载流子偏转方向总是一样.（从宏观上考虑,即电流与磁场都相同了,则安培力也一定相同；从微观上看,空穴运动方向与电流相同,电子运动方向相反,但电荷也为负,最终负号抵消

用霍尔系数较大的霍尔元件做探针,采用伏安记测量电压!并用统计学规律对数据在一定的范围内进行误差修正……

实验仪器：1：ws-HL/LC型霍尔效应-l螺线管磁场测试仪2：WS-LZ型螺线管磁场测试组合仪器实验步骤1：信号输入端口分别为红"+",黑“—”2：Im调节旋钮（右侧）：调节范围0.000到1.00

测量材料的薄片的厚度D和载流子的浓度N就可以了霍尔效应灵敏度=1/end

让通过霍尔元件与电磁铁线圈的电流分别反向,就是说一共可以测四组数据,即正负两两组合.

设：cd间的静电场强度为E,电流定向移动的速度为v某个时段t内通过截面(Ld)上的电荷总数为n(Ld)(vt),所以I=q[n(Ld)(vt)]/[(Ld)t]=qnv；E=U/L；静电力与洛伦兹力平

霍尔片接线处并非完整对称,靠测量时正负电压共用消除.材质不纯无法消除测量仪器问题无法消除载流子非轴线方向运动产生的影响无法消除

根据霍尔板两端的电压高低

量子霍尔效应：U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了,而霍尔系数Rh=1/(nq);那么我们只要改变B的大小,尽量多测几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值；那么首先我们考虑R-B

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段.还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放

由于这些副效应与电流和磁场的方向有关,在测量时,改变电流或磁场的方向,将各次测得的霍尔电势差取平均,就可以基本消除副效应影响

利用霍尔效应可以测量半导体到底是n,p型的把载有电流的半导体放在垂直于电流方向的磁场中时,半导体会产生横向磁场的效应.具体仪器很多,你可以查一下

说的是不是这个电压：Uh=Kh*I*B如果是的话,可以选择降低外电路端口的输出电阻,当然如果条件允许的话可以外加一个输入电流.

霍尔效应产生的电压信号和通过的电流及磁场成正比,要测磁场,则可以通恒定的电流信号,则电压信号和磁场就成正比了,也就测量出磁场信号了再问：能在详细点吗？再答：抱歉

1.小,测的是垂直方向的.实验之前将磁传感器调零不可少2.根据线圈间距所做出的图像略有不同磁场均匀是要调间距至图像（磁场强度~位置）中部水平

改变电压方向测的两组数据v1,v2;改变电流方向测得两组数据,v3,v4;不等势电压v=(|v1+v2|+|v3+v4|)/2