多数载流子原理-搜答案-拍题作业网

CBBBABBACAAA再问：一共13体

N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.

既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是

就象能容纳10个载流子,9个电子,1个空穴(可以容纳一个电子),它们是共存的

作空穴等效时,空穴的运动方向是和电子相反的.这个涉及固体理论.就是说并非简单的一个电子的运动或者怎么怎么的,而是一群电子一起运动,导致的效果就相当于一个空穴在运动.所以和金属那样的电子导电或者n型半导

1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.（x）2、用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电极是二极管的正极.（y）3、发射结处于正偏的BJT

N型半导体的多数载流子是电子.

其实化学是在是一门记忆的文科,不过在一些方面他又必须具备理科人的素质,学化学就像放一幕幕电影,一个个实验的颜色变化,反应的平衡变化,只要记住了,就不会忘记,因为电影看过了你也不会忘记,还有就是把元素周

__n___型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是_____D_____,主要特性是__单向导电性_.

选择题：1B2D3D4C5题目不完全,需告知基极Ib电电流数值（Ic=Ib×β）6C7B8D9B10C填空题1（1）差模（2）共模输入（3）差模输入（4）共模输入2（5）放大（6）截止（7）饱和（补充

空穴呗正负粒子貌似是堆在壁垒区的吧

CA(少数载流子浓度由ni^2/N,决定,N是掺杂浓度,也就是多数载流子浓度,ni为本征载流子浓度,随温度升高而增大)B(其他几种接法,电源噪声都可以通过负载电阻耦合到输出)

1.thefaster,thebetter2.assoonaspossible3.thesoonerthebette

正确

P型半导体整体显电中性你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的（即这些空穴脱离了碰原子的束缚

普通的导体导电是利用电子的流动导电,而半导体除了电子流还有一种叫空穴的导电方式.比如一个坐满人的俱乐部,一个人从最后排的座位上起来走到最前排,是这个人直接移动的结果,这个人好比是电子.如果最后排有一个

AA半导体不带电啊,载流子只是说明这种材料导电是流动的粒子

是相对的,这种现象多出现于半导体内,当一块本征半导体的两个不同部位分别不同参杂后就会在结的附近出现一面是质子另一面是电子的集中堆积情况,堆积质子的一方由于大面积缺少电子,那么电子便是少数载流子,原来质

本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.

问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方：以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子