在射随器电路中能否用晶体管毫伏表直接测量Rs两端电压

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/08 14:19:08
模拟电路中晶体管大多工作于什么状态

放大、振荡、开关三种状态.

如何判别电路中晶体管的工作状态?

一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态.当VBEVE时,发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态,此时晶体管工作在放大状态.

如图在硅晶体管电路中 工作状态

工作在饱和导通状态.忽略三极管的基极电阻,则Ib∽Vcc/Rb=0.1mA如果工作在放大状态,则:Ic=β*Ib=40*0.1mA=4mA而Ic的最大电流肯定是小于Vcc/Rc=3mA所以,三极管只能

在单管晶体管放大电路中,电压放大倍数小的电路是

共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1+β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.

测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示,在圆圈中画出晶体管,并分别说明它们是硅管还是锗管.(发射极E,基极B,集电极

三极管放大状态:Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V)NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

求大神们解释一下这个电路图和晶体管在电路中所发挥的作用

就起到个开关的作用,上拉电阻是个负温度系数的温敏电阻,当温度达到一定的时候X点产生的电压让晶体管导通,蜂鸣器两端完成加电开始报警

在单级放大电路中,不用示波器观察输出波形,仅适用毫伏表测量放大电路的输出电压u0,是否有意义?

工作点调到最佳位置;徐徐增大信号幅度,若输出uo同步增长.这样,即使不用示波器,也可判断放大器工作基本正常,有意义.

晶体管电路

1)Re=Ue/Ic=2k;Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2)基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍;则:Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

晶体管单级放大电路中如何提高晶体管放大倍数,可采取哪些措施

增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.

在晶体管单级放大电路中实测值与理论值产生偏差是为什么?

你的问题我没有看明白,只能按照两种理解来回答:对于电路上同一测量点来说,或是任意的其他测量中,实测值和理论值产生都会产生偏差,这个偏差与测量设备的精度有关系,也就是存在固有误差.在单管放大电路中,输出

在图中所示电路中 晶体管工作于何种状态

第一个工作在放大区第二个是饱和第三个截止,也可能是烧坏了,要看数据手册,发射结可能被击穿,要是不考虑器件损坏的话,最后一个是截止区

在图示电路中,各晶体管的工作状态均不正常,现用直流电压表测得晶体管各引脚的对地静态电位,测量值已标在图中,试分析其原因,

a、管子坏了,基极b与发射极e短路了b、管子坏了,集电极c开路了c、管子没有坏,因为基极b与发射极e之间的电压达到一定的饱和值了,促使集电极c与发射极e导通了.

在电路中短路,灯泡能否发光?

不能发光,电源会烧坏的.

晶体管共射极单管放大电路:能否用直流电压表直接测量Uce?

肯定可以啊再问:Ube呢?再答:放心吧,都可以的

在模拟电路中,当晶体管共射接发时.Iceo与Icbo的关系是什么,请证明.

Icbo经基区直接流到发射极,实际起到了基极电流的作用,因此集-射漏电流Iceo大约等于集-基反向漏电流Icbo的β倍.

15.在放大电路中,当集电极电流增大时,即使晶体管( ).

BD就正确了再问:B、D?可这是单选啊……再答:单选就选B,多选就可选D,因为基极电流变大时,集电极相应变大,超出饱和区就不变了,再大就可能损坏。

在这个晶体管串联型稳压电路中电阻R1和电阻R2分别起到了什么作用?谢谢解答.

R1提供偏置电压使三极管道通R2作输出瑞负载使其电源空载稳定输出

晶体管毫伏表能否测量20Hz以下的正弦信号,在使用时应注意什么?

因频率响应范围的限制(如DA-16是20Hz--1MHz)),不能测量.注意事项(1)接通电源时,应将毫伏表的测量输入端短接,或者将档位置于较大的电压档.(2)不可以用低压档来测量高于该档的电压值.(

能否用数字万用表代替毫伏表测量交流信号电压

50Hz可以,频率差多了一般不行,误差太大.非正弦波也不适合,毫伏表实际测量的是峰值,万用表是平均值.