发射极的电位关系对于NPN管应为啥

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

晶体管导通,不论是PNP还是NPN,电位差最小的两个电极是基极B和发射极E,电位在中间的是基极B.如果是差0.7V左右,是硅管,差0.3V左右,是锗管.很明显,U1和U2一定是B和E,那么剩下的就是U

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

不考虑元件的质量,是没有电流的.

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

米有图片,不知道U1,U2,U3分别代表的是Ub,Uc,Ue?知道对应的Ub,Uc和Ue后,可以用二楼的方法去判断就行!

我来说吧,三极管要放大,有两个条件：发射结正偏,集电结反偏.对于NPN管来说,发射结是基极（P）指向发射极（N）,集电结是基极（P）指向集电极（N）.而且对于半导体来说,多子是携带电荷的主流,代表主要

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

看你npn的发射极和pnp的集电极接了什么嘛他们接了什么就是什么相当于把三极管拿掉不要去管什么高阻态再问：。。。。。，我需要高阻态，在截止状态下是否为高阻态喔~？再答：不是高阻态“高阻态输入下一级电路

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

1、电位也叫做电势.是描述电场中的那一点的相对位置和高低.用物理语言说是电荷在单位电场中某一点的电势能.φA=EpA/q2、有电位,就有电位差,AB两点的电位差的定义是UAB=φA-φB且有UAB=-

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

这要看是集电极输出还是发射极输出.输出脚的那个电阻较大.

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为