原盘密度0.03m,均匀带电,电荷密度2*10^-5,编写c预言程序求出

B均匀带电球面,电场是对称分布的,高斯面的选取就选和带电球面同球心的球面,这样高斯面上的各点的场强大小相等,方向沿着球半径,也就是各点的球面法向方向.高斯面的电场强度通量Φe=∮E×dS（矢量积分)=

1.（1）E=0;；（2）薄层内与其表面相距0.1m处的电场强度E=ρd/2ε0=(10^(-4)*0.3*10^(-2)/2*8.85*10(-12)=1.695*10^(-4)V/m3）薄层外的电

这个没有办法用高斯定理做,假设用高斯,首先要做个闭合的面,这个面只能是个球面（别的面就更复杂了）,而这个球面上的场强肯定是大小不均的,你又不能用电量除以面积积分得场强.要求解的话,要积分,把半球面细分

把半球面看作许多圆环,积分即可没有必要在这问这些问题,把教材静电场例题及课后题做会就行了前提是会点微积分知识

这里不好书写,帮你找到了一个地址：这里边的例题8-7,具体解答了你的题目,只不过它的电荷线密度字母不是用a表示.

1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/

每一个“无限大”均匀带电平面,在空间产生的电场强度为σ/(2ε0),三个平面把空间分成四部分,根据场强叠加原理,四部分空间的场强从左到右分别是：3σ/(2ε0),方向向左；σ/(2ε0),方向向左；σ

怎么不能上传图片?

使用高斯定理,取一圆柱面,使之轴线与直细棒重合,按高斯定理有电通量Ψ=4πkq=q/ε0,Ψ=∮E·dS=E·2πrh,r为圆柱的底面半径,h为圆柱的高.又因为q=λh,所以E=λ/2πrε0=2kλ

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

供参考.

电荷密度没打出来呢?比如分别为+σ1和+σ2.设电荷面密度为+σ1的为板A,电荷面密度为+σ2的为板B.A板产生的场强大小为E1,根据其对称性,对板A取一圆柱形高斯面,高斯面截面积为s根据高斯定理∮E

在球外,可以将这个球壳等效为全部电荷集中在球心的点电荷处理,电势分布为k*4paiR^2σ/r(r>R)在球内的时候因为球壳上均匀带电,可以证明在内部所受合力为零,因此无论如何移动都不做功,因此是一个

弱弱得问一下、你学过电场的高斯定理吗?学过的话就好办、没学过的话还要解释一下高斯定理的证明再问：高斯定理正在学习中，所以就遇到了这个问题再答：哦哦、、我刚刚仔细想了想、这题还真不好办、是求圆环所在明面

那个希腊字母我用$；来代替面有两边,每边电荷为a*S/2,高斯定理E*S=(a*S/2)/$所以E=a/2$

因为是两块板所以乘以了2,对于无限大带电平板模型使用高斯定理推场强最快,在平板上空取面元直接带高斯定理可得场强再问：高斯定理怎么弄再答：图这儿不能画所以说起来很麻烦，一般的高中竞赛书上都会有讲的，翻书

是的,我也曾思考过这个问题.请仔细阅读.因为认为介质两端带电了,产生的电场与原极板间电场强度方向相反,那么实际电场变小了,可以用公式σ/εοεr来计算.也可以用σ/εο-σ'/εο来表示,这两种表示的

取高斯面S,ES＝4πkOS/ε,E=4πkO/εls的单位ms不对.

要确定图像,你首先要了解一下电荷密度相同的无限大平面间的电场分布.这个电场线是垂直于两平行板之间的,而且是均匀分布,即两板间的电场是匀强电场.所有垂直于X轴的面都是等势面.放入一个检验电荷,就是正电荷