作业帮二氧化硅电子迁移率
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/28 04:05:19
1.氧和硅的电负性分别为3.44和1.90,说明硅氧键含有大约50%的离子键特征.离子键是没有方向性的.2.在固体里,氧与硅成的两个键的键角也不总是180度.其实,在最稳定的结构中,这个键角大约为14
二氧化硅广泛存在于自然界中,与其他矿物共同构成了岩石.天然存在的二氧化硅也叫硅石,是一种坚硬难熔的固体.石英的主要成分也是二氧化硅,透明的石英晶体,就是我们常说的水晶.二氧化硅的化学性质二氧化硅的化学
正常情况下,二氧化硅是非常稳定的.当与丝绸摩擦后,外围电子不稳定,在获得能量后,电子发生转移.
含有游离二氧化硅的粉尘进入人的肺内后,在二氧化硅的毒作用下,引起肺巨噬细胞解坏死、导致肺组织纤维化,形成胶原纤维结节,使肺组织弹性丧失,硬度增大,造成通气障碍,影响肺的呼吸活动,即人吸入游离二氧化硅的
要看不同的材料的,ge的还si的是不同的,而且要看掺杂浓度的.一般来讲本征硅电子迁移率在1350cm^2/v*s本征锗电子迁移率在3800cm^2/v*s左右.
二氧化硅的结构大概如图所以1mol二氧化硅只要2mol共价键再问：有4molSi-O键2mol共价键？再答：是有四个但是每个硅都只占一半因为是共用电子对所以氧也占一半就变成2mol了
与胶琼脂糖的浓度是有关系的,还与DNA的性质（单链还是双链）有关.在0.7%、1%、1.4%、2%的琼脂糖凝胶电泳中,溴酚蓝的迁移率分别与1000bp、600bp、200bp、150bp的双链线性DN
二氧化硅中的Si有14个电子,O有8个电子.所以14+8*2=30个.
有区别二氧化硅有晶体状态有非晶体状态所以要指明是二氧化硅晶体
解题思路：具体化合物中原子成键的方式以及化学基本用语的考查比如比列模型.电子式、结构式。解题过程：原子半径：C>O，比例模型中碳原子半径却小于氧原子的。A错....过氧化氢为共价化合物。电子式为
SiO2又称硅石.在自然界分布很广,如石英、石英砂等.白色或无色,含铁量较高的是淡黄色.密度2.22.66.熔点1670℃（鳞石英）；1710℃（方石英）.沸点2230℃,相对介电常数为3.9.不溶于
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移
可用氢氟酸分解,减少的量即为纯二氧化硅的含量.步骤如下：称取0.1克二氧化硅（精确到0.0001克）,置于已知质量的已在950—1000度恒量过的铂金坩埚中,加入5—7毫升氢氟酸,1—2滴硫酸（1+1
二氧化硅的化学式为SiO₂,不溶于水.不溶于酸,但溶于氢氟酸及热浓磷酸,能和熔融碱类起作用.自然界中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅两种.二氧化硅用途很广泛,主要用于制玻璃、水玻璃、陶器
迁移率与散射机制有关,对半导体硅来说,最主要的散射机制是声学波散射与杂质离化散射,所以影响其迁移率的主要因素有：掺杂浓度,结晶质量,温度等
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中
目数：每英寸(25.4mm)长度上所具有的网眼数.拿你说的二氧化硅过筛,筛子越细则目数越大,实际上是度量有多细.
所为空穴其实就是电子移动留下的“空位”,当某个电子移动留下“空位”以后,又有别的电子来填补这个“空位”从而留下新的“空位”看起来好像是“空位”在移动,空穴的概念就是这麽来的所以空穴的移动是不同的电子移
化学词典后面有附录,有数据的