为什么集电极电流等于(1 β)基极电流

Ic过大对应于Ib过大,使三极管趋近或进入饱和区,在输出特性曲线中直流工作点偏左上,beta降低.

直流电压比交流大,因此叠加的结果是正值,三极管放大的是电流变化的趋势,也就是叠加了直流的交流信号,如果没有直流,只是有交流的话,是不行的.

在共发射极的情况下,发射极电流等于集电极电流加基极电流,在基极和发射极两端并联一个电阻,也就是加了一个偏置电路,对通过三极管的电流有影响；而对三极管的电流分配没影响.

因为Iceo=Icbo＋Icbo×β.简单地说,Icbo流入基极,等效于基极偏流,因此它会被放大β倍出现在集电极与发射极之间,所以Iceo是Icbo与“被放大β倍的Icbo”之和.

三极管内的电流流向是这样的,小电流由基极流向发射极接地构成回路,而集电极的电流是由集电极流向发射极构成另一条回路,但集电极到发射极回路的电流大小与基极到发射极的电流成比例关系,相当于受到基极电流的控制

这是因为此时的三极管输出电流为最大值,当输入电压继续增大时,输入电流在增大,而由于输出电流已经是最大值所以无法继续增大,故不能按β倍增大,继续增大输入电流只会使得β继续减小,当输入电流等于输出电流时β

不可能的,有可能是因为你的三极管的发射极接了一个电阻进行分流了,所以电流才会变小的.

这是共发射极输出特性曲线,是三极管最常用的放大工作状态,也最能体现三极管的性能.共基极和共集电极有各自的输出特性曲线,但用的相对少.

欧姆定律啊.只要电流在变化就必然有通过电流的电阻两端的电压变化.U=I*R

虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料.半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常.从集电区向基区出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向

因为NPN的三极管,集电极是接正电,（发射极处在负端）,按照电学的规定,电流是正极流向负极（和电子流向相反）,所以就有你说的“集电极电流的方向是流向集电极,”,这是规定,就这么简单.你再看看,在研究P

三极管的本身,是电流放大.通过外接的电阻,按照欧姆定律,可把放大的电流,转换成电压.发射区的电流,包括基极电流和集电极电流两部分：发射极电流=集电极电流+基极电流基极电流,是到基极电压控制的.集电极电

我认为大致有三个因素1.极电结的反向漏电流是正温度系数的,随温度升高,集电极电流会升高.2.晶体管的hfe是正温度系数的,基极电流一定时,随温度升高,集电极电流会升高.3.晶体管的Rbe是负温度系数的

因Iceo=Icbo+Icbo×β简单地说Icbo流入基极等效于基极偏流因此会被放大β倍出现集电极与发射极之间所IceoIcbo与被放大β倍Icbo之和

首先把三极管看两个背靠背的二极管.以NPN三极管为例工作原理：正常工作于放大状态时,因为基极电压高于发射极（b极和c极之间看成个二极管）,电路正偏,有大量电子流入发射极,形成Ie,电子原本要通过基极回

因为当三极管基极有一定电压使三极管处在放大区域时,Ic具有恒流特性,所以当处在放大区时基极跟集电极电流的关系就为：Ic=β*Ib.这个β跟PN结掺杂有关,跟集电极面积有关,至于这是为什么说起来比较麻烦

正确的说法是：1.这个电路输出端电压等于稳压管电压减去三极管BE间的电压;2.当输出电压有倾向增大时,发射级电位升高,引起三极管集电极电流减小,这相当于三极管的内阻增大了,因而三极管集电极与发射级之间

由于在中间的基极做的非常的薄,当基极和发射极导通的时候其实里面的pn结已经不存在了集电极电流直接越过基极流入发射极.

差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B、2）倍根据差分电路的特点,流经RE电阻的电流,就是两个差分管的集电极电流,且电路要求两差分管的集电极电流基本相等,所以RE的电流近似

这要看实际电路,如果负载串接在C上,Ic=Io.否则不等