为什么少数载流子是影响二极管晶体管温度稳定性的主要因素

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/25 19:09:46
开关电源 变压器后面的二极管 起什么作用?一个二极管是起什么作用?为什么有的还是两个二极管?

起的是整流作用,即把交流电变为直流电,一个和两个都是半桥整流,全桥有四个整流二极管,整流常用二极管型号有IN4001----IN4007,整流电流1A,波形网上有图自己搜一下.再问:能否给个链接?详细

这里二极管是什么作用?是保护电路吗?如果是保护电路为什么只有一个二极管?

C1、R9在上电时,形成复位脉冲.D1在掉电时为C1提供放电通道(快速放电).这样瞬时性掉电也可以产生复位脉冲.

N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么?

N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.

为什么大多数动物是雌雄异体而少数是雌雄一体

雌雄同体的动物都是低等动物,较高等动物都是异体的.低等动物的低等不仅表现在行为上,遗传生殖也较低等!

为什么霍尔效应可以判断载流子的类型?

需要判断载流子聚集在何方实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律,速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力,向霍尔电场作用力方向偏转,速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力,向洛伦兹力方向

为什么说少数载流子的数目虽少,但却是影响二极管.晶体管温度稳定性的主要因素?

影响最大的应该是Icbo,它就是少数载流子形成的从c极区流向b极区的反向电流,它会影响基区中多子的复合,该电流在放大电路中会严重影响放大倍数.Icbo随温度按指数变化,导致放大倍数随温度呈非线性变化.

为什么硅太阳能电池中只有一种载流子通过pn结

你搞错了吧,太阳能电池中,在pn结内建电场的影响下,n区空穴通过pn结向p区移动,p区电子通过pn结向n区移动,所以是两种载流子

本征半导体是完全__的、___完整的___晶体 __半导体是指以电子为__载流子的__半导体 PN结的_半导体是二极管

本征半导体是完全不含杂质、晶格完整的单晶体n型半导体是指以电子为多数载流子的掺杂半导体PN结的_半导体是二极管--》读不通正常工作时工作在反向击穿状态的二极管通常是稳压二极管整流电路是二极管实际应用电

为什么大多数人是一个,而少数的有2个甚至3个?

毛干和皮肤呈一定的倾斜度.许多毛发的倾斜方向是一致的,称发流或毛流.毛流在头顶可形成一个中心向外,周围头发呈旋涡状的排列,俗称发旋.通常人都有一个发旋,多位于头顶部,或偏左偏右.少数人有两个或三个发旋

为什么富人总是少数那部分,而穷人永远是大多数?

领导总是没有员工多,食草动物总是比食肉动物多,百姓总是比官员多,剥削阶级总是少数的.

1.__型半导体,_____型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是__________,主要特性是____

__n___型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是_____D_____,主要特性是__单向导电性_.

1.PN结多数载流子浓度主要受( )影响,少数载流子浓度则主要受( )影响

CA(少数载流子浓度由ni^2/N,决定,N是掺杂浓度,也就是多数载流子浓度,ni为本征载流子浓度,随温度升高而增大)B(其他几种接法,电源噪声都可以通过负载电阻耦合到输出)

为什么说雅典民主政治是少数成年男性公民真正享有的?

雅典的民主只是少数男性奴隶主享有的民主,故被称作“外观的民主,实质的独裁”.雅典民主政治是建立在奴隶制基础上的,其实质上是以雅典工商奴隶主为领导的奴隶主阶级对于奴隶、非公民群众实行专政的工具,归根结底

半导体物理中 载流子的有效质量可以是负的,为什么?有什么物理意义

这个问题是固体物理中的一个基本概念问题.有效质量只有在能带顶附近处才是负的,而能带顶正好对应于Brilouin区边缘,因此有效质量在Brilouin区边缘处为负.当电子在外力作用下运动时,电子的动量增

电子问题会的过来多数载流子和少数载流子各有什么特点

是相对的,这种现象多出现于半导体内,当一块本征半导体的两个不同部位分别不同参杂后就会在结的附近出现一面是质子另一面是电子的集中堆积情况,堆积质子的一方由于大面积缺少电子,那么电子便是少数载流子,原来质

PN结空间电荷区内的载流子为什么不多?少了的那些载流子都哪里去了啊?

空间电荷区存在一个反向电场'载流子在其中是难以平衡的,所以少.至于载流子肯定在原来p区和n区,电荷守恒的再问:内建电场是阻止载流子继续扩散的。空间电荷区内载流子的扩散和漂移运动相等。所以存在一个动态平

1. 本征半导体中的两种载流子是 ,N型半导体多数载流子是 .

本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.

关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.

问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方:以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子

为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下