串联两个二极管的死区电压为多少伏特

因为实际应用的二极管并不是理想的,所以会有门槛电压和通态压降.将二极管伏安特性的线性部分用切线来替代,切线与电压轴的交点,被定义为门槛电压,有时称为“死区电压”；当二极管的电流达到额定电流时,二极管两

同向串联：反向稳压值12V,正向1.4V；反向串联：双向稳压值6.7V,相当于双向二极管；同向并联：反向稳压值6V,正向0.7V；反向并联：双向导通电压0.7V.

220v交流电串联一个二极管后的电压是直流0.45×220=99V串联一个桥式整流块后的电压是直流0.9×220=198V

第四题d中,两个电源是串联关系,uo＝3－0.7＝2.3V.再问：为什么不是3v和r串联的电压呢再答：看方向，二极管的压降是左正右负0.7V，因此有：0.7＋uo4＝3故：uo4＝2.3V。再问：那第

不会的,外加电压=V=Vd+Vr=0.7+I*R.该公式是二极管导通是的电压方程,并假定了二极管导通电阻为0,可以看到当V=0.7时,I=0,即回路中不可能有电流,因此二极管不会导通.更严格地说,V=

电子技术基础

是这样的,所谓死区电压:由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右.——以上出自《模拟电子技术》故填CDAB

D2因为10V＜15V,处于截止状态,相当于开路；D1通过R可以有正向导通电流,理想状态下,相当于短路,电压为0V.所以“理想二极管的情况下Uab之间的电压为0V”.祝你新年快乐!

由于没有实际形成电流,故二极管的PN结压降可忽略不计,此时开路电压就是原电压,无压降.注意：电压表不是理想器件,故存在一定的小电流,但基本仍不影响测试,可查结压降与电流的特性图查看（微电流部分往往是没

死区电压：简单的说就是低于这个电压管子就不能导通的电压,典型值硅管为：0.75V典型值锗管为：0.35V

错.Ube要大于死区电压,基极电流Ib才会产生.Ube小于死区电压三极管处于截止状态.硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在放大状态下,要求Ib与集电极电流Ic呈线性的比例关系,NPN型硅管

如果不被烧毁的话,仍然是0.7伏.电路中应串一个灯泡,二极管单向导通,灯比较暗,两端电压约110伏.因为二极管使波形变为正半波,负半波被削掉.

应该是DCDC出来的是脉冲电流,这样充电是快点.但是对电池不好,锂电池是要恒流恒压充电的.

二极管在正向电压高于0.5V左右时开始有电流流过,随着正向电压继续增高,导通程度也急剧增高,但不是线性关系（可以从二极管的伏安特性曲线图中看到）.当普通二极管和电阻串联的时候,当总电压小于0.5V时所

呵呵建议串联2个二极管,使用普通整流二极管即可.普通硅整流二极管压降0.7v,2个1.4v,能够得到3.6v的电压,给3.3v电器供电没一点问题.再问：如果我是想串联电阻，需要串联多大电阻，因为PCU

截止硅管的死区电压0.5V锗管的死区电压0.2V导通硅管的正向压降为0.7V锗管的正向压降0.3V

半波整流负载电压等于输入电压乘0.45,约为99伏,一只硅二极管压降0.7伏,所以两个并联时负载电压98.65伏,串联时负载电压97.6伏.求采纳

电压正向连接并且回路电压大于整流二极管或普通二极管的导通电压时,二极管的压降基本是正导通压降,即硅管0.0.7V,锗管0.0.3V,肖特基管0.0.6V.如果是齐纳稳压二极管,则是其齐纳击穿电压（即稳

二极管可以大体上分为两种,硅基的正向压降大约为0.7V或略低,锗基的正向压降大约为0.3V.不过,这个正向压降不能理解为"分的电压",这个压降是它的物理特性.