三极管正常工作时发射结正向偏置,是不是意味着输入交流信号最大值要小于直流电压-搜答案-拍题作业网

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

从数字的角度来说,基极电流,集极电流和集射极间电压要合适,但从这个图上就可以看出来有的肯定是不能正常工作的.第一个,集射和基射间加的都是反压三极管根本不可能导通,第三个集射间加的是反压,最后一个就没有

首先要知道：保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以

集电结反偏应该是截止状态啊.怎么会是放大状态再问：有相关的文档吗再答：。。任何一本模电书都有讲。或者你百度一下三极管的工作状态。百度文库第一篇就有再答：。。。不过。我刚刚看了一下我好像记错了。再问：哦

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三极管有两个PN结,不能看作是两个二极管,因为三极管的两个PN结的特殊结构使得原本不能反向导通的集电极在发射结电流的控制下可以按控制电流的变化而呈现可变电阻的特性.就是集电极电流是受基极电流控制的,

正偏和反偏针对PN结而言,不止三极管.PN结有P,N两个区,所谓正偏就会指P区的电压比N区高,如果高出0.7V以后,PN结就导通,.反偏就是N区电压比P区高,反偏时PN结截止.三极管里面有两个PN结,

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

yes,PN要导通,必须要在PN结的结合部形成空穴和电子的交汇区,也就是导电沟道,这个导电沟道里的电子和空穴越稠密,导电越强,反之相反.如你说的,如果P端有空穴而N端没有电子,不行形成导电通道,是不会

首先理解pn结形成后的电荷状态吧.在电荷区靠P区的是聚集负电荷,在电荷区靠N区是聚集正电荷.此时,电荷区的内部电场方向是由N区指向P区.当PN结正向偏置时,即给PN结加由P区指向N区的正向电压,那么这

晶体管工作在放大区时,发射结正偏置、集电结反偏置；晶体管工作在截止区时,发射结反偏置、零电压或者偏置电压不足以使发射结导通、集电结反偏置；晶体管工作在饱和区时,发射结正偏置、集电结正偏置.

放大区时,be结正偏,bc结反偏.饱和区时bebc结都正偏,截止区时bebc结都反偏.

正向偏置电压集电极反向偏置

处于放大状态的三极管发射结正向偏置,集电结一定是反向偏置的

晶体管工作在放大区的工作要求是:发射结正偏,集电结反偏

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

你所说的截止区是不是耗尽层啊?我们学的时候叫做耗尽层,首先扩散可以增加耗尽层,所谓扩散是正电荷由p区到n区,负电荷反之,是由浓度差产生.漂移电场产生的,在耗尽层里面,n区正性,把n区少子（正电荷）推回

正向偏置就是使电流可以通过的偏置,反向偏置就是使电流不能通过的偏置.PN结的P就是positive的意思,应该接高电压,N就是negative的意思,应该接低电压,这样接了,电流就能通过,这就是正向偏

这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。